ATT7022E修改汇总

1/16ATT7022E新版功能应用说明2013-08-13目录1.1.芯片ID....................................................................................................................21.2.相位分段(3段).....................................................................................................21.3.新校表参数校验和寄存器ChkSum1(计量参数0x5E).........................................21.4.功率Offset校正位扩展........................................................................................31.5.电流矢量和Offset校正........................................................................................31.6.三相三线制/三相四线制......................................................................................31.7.Vref数字自动补偿功能........................................................................................31.8.电流矢量和算法....................................................................................................41.9.电压夹角/相角算法..............................................................................................51.10.基波无功功能........................................................................................................51.11.基波谐波功能描述................................................................................................51.12.能量累加模式........................................................................................................61.13.SAG功能定义..........................................................................................................61.14.过流检测功能定义................................................................................................6寄存器列表：............................................................................................................................71.1.计量参数列表：....................................................................................................71.2.校表参数列表：..................................................................................................11校表参数说明：.............................................................................................................152/161.1.芯片ID保留原ATT7022E/26E的device寄存器(计量参数0x01)=7122A0/7126A0不动。增加ID寄存器(计量参数0x5D)，作为改版纪录对应芯片型号DeviceIDID70220x7122A00x7022E070260x7126A00x7026E01.2.相位分段(3段)与电流有效值高16bit对齐，用于划分3段相位补偿，与相位补偿寄存器配合使用相位分段寄存器Iregion0(校表参数0x37)；新增加相位分段寄存器Iregion1(校表参数0x60)，相位补偿寄存器0(校表参数0x0D~0x0F)，相位补偿寄存器1(校表参数0x10~0x12)新增加相位补偿寄存器2(0x61~0x63)。当电流值有效值IIregion0(校表参数0x37)，使用PhSregXpq0进行相位补偿，当电流值有效值Iregion1IIregion0，使用PhSregXpq1进行相位补偿,当电流值有效值IIregion2，使用PhSregXpq2进行相位补偿。相位分段设置寄存器与原ATT7022E/26E一致，注意设置阈值Iregion0Iregion1已知：电流设置区域Is计算公式：Iregion=INT[Is*2^5]其中Is=Ib*N*比例设置点(额定电流对应取样信号为25mV，则N=30/Ib；额定电流对应取样信号为50mV，则N=60/Ib；)例如，启动电流设置为15%，Ib=1.5A取样信号50mV，则Is=1.5*40*15%。1.3.新校表参数校验和寄存器ChkSum1(计量参数0x5E)新增加的校表参数地址0x60到0x71的所有校表数据之和，采用无符号方式累加，且只保留低24位。3/161.4.功率Offset校正位扩展扩展Poffset/Qoffset的字长由16bit扩展成24bit，不影响原ATT7022E的功率offset校正方式，扩展的低8位存放在寄存器(0x64~0x69)。扩展后的Poffset校正公式：Poffset=INT[(Preal*EC*HFCONST*2^31*(-Err%))/(2.592*10^10)]。计算值Poffset的高16bit写入原寄存器(校表参数0x13~0x15/0x21~23);低8位写入新增加的寄存器(0x64~0x69)。1.5.电流矢量和Offset校正增加电流矢量和的offset寄存器ItRmsoffset(校表参数0x6A)。在分相有效值增益校正之前，进行ItRmsoffset校正。已知：输入信号为0的时候，读取寄存器的值Itrms计算公式：ItRmsoffset=(Irms^2)/(2^15)。1.6.三相三线制/三相四线制新版ATT7022E/26E增加三相三线值/三相四线制寄存器控制方式，具体为：在外部引脚SEL=1时，通过寄存器(校表参数0x70bit0)ModSel控制位进行设置，ModSel=0为三相四线制ModSel=1为三相三线制在外部引脚SEL=0时，固定为三相三线制。1.7.Vref数字自动补偿功能新版ATT7022E/26E增加温度自动补偿功能，当VrefAotu_en=1(校表参数0x70bit1)时开启。同时该功能只在TPS使能时才有效，即TPS_En=1(校表参数0x31bit4)且VrefAotu_en=1(校表参数0x70bit1)时有效。工作机制如下：1、新增加Toffset校正寄存器(校表参数0x6B)进行TPS一致性校正，使得TPSData（计量参数0x2A）值在常温（25度）输出为0x00。校正方式：直接读取TPSData（计量参数0x2A）在常温（25度）输出值，直接写入Toffset4/16校正寄存器(校表参数0x6B)即可。校正后温度的计算公式为TP=25-0.726*TMM。TMM为温度输出寄存器（计量参数0x2A）的读数取补码。2、新增加Tgain校正寄存器用于补偿TPS的系数，使得新版ATT7022E的TPS分辨率兼容原来ATT7022E的-0.726/LSB。芯片直接调整ok，不需要校正。3、新增Vrefgain的补偿去曲线系数TCcoffA，TCcoffB，TCcoffCVrefgain采用公式产生：Vrefgain=TCcoffA*Tdata^2+TCcoffB*Tdata+TCcoffC芯片内部直接调整ok，不需要校正。4、补偿计算方法利用原来ATT7022E的allgain寄存器(校表参数0x32)参量，进行乘法运算；当VrefAotu_en=1，使用自动补偿，此时allgain=Vrefgain，来自步骤3的计算值，同时将该值送寄存器VrefGain(计量参数0x5C)当VrefAotu_en=0，关闭自动补偿，功能同原来ATT7022E,即allgain=Allgain（校表参数0x32，来源于校表寄存器）1.8.电流矢量和算法兼顾三相四线制使用零线电流互感器和不使用零线电流互感器的情况：采用那种算法由寄存器控制位ISUMSel(校表参数0x70bit2)决定：当ISUMSel=0，采用算法1(原ATT7022/26算法);当ISUMSel=1，采用算法2.5/161.9.电压夹角/相角算法保留原ATT7022E/26E的夹角算法，提供电压夹角UaUb/UaUC/UbUc和相角UaIa/Ub/Ib/Uc/Ic;新增加一种可选方式：根据采样信号Ua/Ub/Uc中的某一信号为参考，例如以UA通道为相角基准，则YIb表示Ib和Ua间的相角。用户可通过简单运算得知任意两个向量的相角，如Ia和Ib的相角YIaIb=YIa-YIb。其中YUa复用YUaUb寄存器，YUb复用YUaUc寄存器，YUc复用YUbUc寄存器，YIa复用YUaIa寄存器，YIb复用YUbIb寄存器，YIc复用YUcIc寄存器。采用那种算法通过寄存器Ymodsel(校表参数0x70bit3)控制，当Ymodsel=0选择原ATT7022E/26E的算法当Ymodsel=1选择新算法选择新算法时通过，寄存器ChlSel[1..0](校表参数0x70bit7/8)选择以哪路电压信号作为参考：ChlSel[1..0]：00——Ua；01——Ub；10——Uc；1.10.基波无功功能增加基波无功功率寄存器(计量参数0x57~5A)，而基波无功电能与全波无功电能复用，使用控制位QEnergySel控制(校表参数0x70bit4)；当QEnergySel=0，无功电能选择全波无功；当QEnergySel=1，无功电能选择基波无功；1.11.基波谐波功能描述ATT7022E原来只有基波功能，提供基波电压/电流有效值，基波有功功率、基波电能。新版ATT7022E需要提供基波/谐波有效值、基波/谐波有功功率、有功电能。其中基波/谐波使能控制还是通过寄存器位HAREn(校表参数0x03.bit10)使能，并通过寄存器(校表参数0x70bit5)EnHarmonic进行基波测量和谐波测量的切换，具体命令为：EnHarmonic=1时为谐波测量，=0为基波测量。6/161.12.能量累加模式原ATT7022E/26E在快速脉冲的