模拟电子题库1

1、电路如图1，R=1kΩ，VREF=3V，二极管为硅二极管。分别用理想模型和恒压降模型求解，当uI=6sintV时，绘出相应的输出电压uO的波形。图12、如图2所示电路。试求UI1、UI2为0和+5V时U0的值。图2UI1UI2二极管工作状态U0D1D20V0V导通导通0V0V5V导通截止0V5V0V截止导通0V5V5V截止截止5V3、试判断题图3中的二极管是导通还是截止，为什么？uIuOuIuOuOuIuIuIuOuOR10KU0Vcc+5VUI1UI2D1D2图3解：分析：在本题的分析中应注意二个问题：（1）电位都是对固定的参考点之间的压差，参考点就是通常所称的接地点；（2）求电位时注意各电压的方向。图（a），设图中电阻25K与5K的连接点为C，则，当假设VD开路时，VUA1151014010VUUUBCCB5.315.2102182152555∵APUUBNUUNPUU∴VD处于反偏而截止图（b），同样设图中电阻25K与5K的连接点为C，假设VD断开，则：VUA1151014010VUUUBCCB5.115.2102182152555∵BAUU∴VD处于反偏而截止；图（c），设图中25K与5K的连接点为C，假设VD断开，则：VUA1151014010VUUUBCCB5.025.2202182152555∵BAUU∴VD处于正偏导通状态4、电路如图4，求：UAB图4解：取B点作参考点，V1阳=－6V，V2阳=0V，V1阴=V2阴，由于V2阳电压高，因此VD2导通。若忽略二极管正向压降，二极管VD2可看作短路，UAB=0V，VD1截止。5、在一个放大电路中，三只三极管三个管脚①、②、③的电位分别如表所示，将每只管子所用材料（Si或Ge）、类型（NPN或PNP）及管脚为哪个极（e、b或c）填入表内。管号T1T2T3管号T1T2T3管脚电位（V）①0.76.23电极名称①②0610②③533.7③材料类型解：（1）晶体管工作于放大状态的条件：NPN管：UCUBUE，PNP管：UEUBUC；（2）导通电压：硅管|UBE|=0.6~0.7V，锗管|UBE|=0.2~0.3V。管号T1T2T3管号T1T2T3管脚电位（V）①0.76.23电极名称①BEE②0610②EBC③533.7③CCB材料SiGeSi类型NPNPNPNPN6、已知NPN型硅管T1~T4各电极的直流电位如下表所示，试确定各晶体管的工作状态。VD１6V12V3kBAVD2UAB+–VD１6V12V3kBAVD2UAB+–晶体管T1T2T3T4VB/V0.71-10VE/V00.3-1.70VC/V50.7015工作状态解：NPN管（1）放大状态：UBEUon，UCEUBE;（2）饱和状态：UBEUon,UCEUBE;（3）截止状态：UBEUon晶体管T1T2T3T4VB/V0.71-10VE/V00.3-1.70VC/V50.7015工作状态放大饱和放大截止7、如图5所示，R=50，VCC=12V，RB=70k，RC=6k当VBB=-2V，2V，5V时，晶体管的静态工作点Q位于哪个区？ICUCEIBVCCRBVBBCBERCUBEICUCEIBVCCRBVBBCBERCUBE图5解：①当VBB=-2V时：IB=0，IC=0，Q位于截止区②VBB=2V时：IC最大饱和电流：mA2612maxCCCCRVI，9mA01.0707.02BBEBBBRUVI0.95mA9mA01.050BCII，ICICmax(=2mA)，Q位于放大区。③VBB=5V时:mA061.0707.05BBESBBRUUI，cmaxBII5m0.3mA061.050，mA2cmaxcII，Q位于饱和区，此时IC和IB已不是倍的关系。8、若已知UCE=6V时：IB=40A，IC=1.5mA；IB=60A，IC=2.3mA。求、。5.3704.05.1___BCII4004.006.05.13.2BCII在以后的计算中，一般作近似处理：。9、测得某放大电路中三个MOS管的三个电极的电位如表T1.7所示，它们的开启电压也在表中。试分析各管的工作状态(截止区、恒流区、可变电阻区），并填入表内。表T1.7管号UGS（th）/VUS/VUG/VUD/V工作状态T14－513T2－43310T3－4605解：因为三只管子均有开启电压，所以它们均为增强型MOS管。根据表中所示各极电位可判断出它们各自的工作状态，如解表T1.7所示。解：表T1.7管号UGS（th）/VUS/VUG/VUD/V工作状态T14－513恒流区T2－43310截止区T3－4605可变电阻区10、已知各场效应管的输出特性曲线如图6所示。试分析各管子的类型。图6解:(a)iD0（或uDS0），则该管为N沟道；uGS0，故为JFET（耗尽型）。(b)iD0（或uDS0），则该管为P沟道；uGS0，故为增强型MOS管。(c)iD0（或uDS0），则该管为N沟道；uGS可正、可负，故为耗尽型MOS管。-3VuDS/VUGS=0V-1V-1V-2V1VUGS=0ViD/mA-2ViD/mA-2V-1VUGS=-4V-3VuDS/VuDS/ViD/mA(a)(b)(c)