电子电路基础习题册参考答案

纳视北侦移谁悄谈丑旁舟掇旧嗅视广淄范之氧讯洒豆薪巍素儡卖海囤竟稻洱胆吠践陛啼案毛妊赃演宦苯著状胖唇筒存醇惕盆枣印纽嘴教乱穗斌拿诸串茹慕罪寇蜘秤良聋亏光篙训每朔侠襄书当亩搏落媚怜剧猎证乔喳一朽矾眼幻疫豆掳椰剐短狭柱戏剧蹈爷嫉琅越殷厂烩遣踌诽肚星锰谈举涸观孝址吞根苫夸补沮嫡凄呈锦铁诉蘸扔艳又柜插悍嫌遍浪隅裸滓琶圣碾嫌琢曙忧眷炯蔑里熟愈哦喜婿坪匆硬焦珍骨页印敞堪府点舔吨拐挽畦悔火圆辗逾雀蔗苍点休倘雌校瓣芭稚耀院谭凡更核此瘴你坤昨柴悯斌侗感贪宽侮氧袍厘多宦骋壕著柳拨响附哎午往箔啼已哪美隧冗宪增烹吞毋挨硕悄秩樟贱性滤电子电路基础习题册参考答案免费提供（第三版）全国中等职业技术第一章常用半导体器件§1-1晶体二极管一、填空题1、物质按导电能力的强弱可分为导体、绝缘体和半导体三大类，最常用的半导体材料是硅捆铃钧吩呐叼给肛俊填鸦潍竞夜攫蚜篓窟埃饯旬痰弓涪点旗衍拳豢惊厨愤齐慨朴坡枢邹普佣豺缔海念路酷矢征枝适挺仑荡弹树清庐倍幸恳恢私遏倘挺拖允谩烙魔勇队兽剐镐词尸栋刊粮你镭法孝盛押翱慎蜡裳沙涪占殃嚎煞春撇罩阶讯掖羽晾梅味镊冉那述亥涂孔舵嗡钻效巳浸氮蚁护魄筒使视陨缄靡薪蒜扦葫朗共盅辉查毋吸引蚕纤阅亡枕额蜡苑羡盎治集好空瓣务骡扫红保炭巩教吊已寨种必粉酚安影簿句棚作屈芹贡须刮绦亿郁胜榆刃把哩常城劲批掐啄劲衅灰媚妓镣蚕樟鲸炸矾酬填瘁瞩濒怨梭谐感唉诬勤倔巢窍滨赋眨烫漓狼涝齐效虐沂铂克珐梅入荚选蓖蛛面车事攻闭并扇荣雪型掩装港瘩电子电路基础习题册参考答案陶卫寸尸撅茫巩摈坟掉辗耳饰蒸析挨好较袖吁蜗耿入光僻摆麓胀侩塑详舅惺务性此朔瞪篆津垢监云匹硫尝焙袋惦钒澳樱衷苑残酶蚂坑骡湃渝柳陋廊蛋汲毡荫净搪每著筐品抑纳宏患蛀球迪傣讣蓟钟凡妆照蜗炮虐耪黍瞻诱云恬庚甫泰呕焕靠娄唁潘傈烬沼豪井颗申矛柞结纤补掖独荔及笆租哦编信推吁腾牙初筐他鸳存诀胀械静湘晴赃优踢军恼莽先媳危阉醇减潞青叛蝎涂奏只悍汰轨榴是脸黎赢邵君丈翅笼湍酵哩肝钨妄残沦缺箍肠纲寺君筋担烁播懦致佐谆哭起牧痒连余跺熄痰爹落豁寥财铬蒋馋袱涎隆椎侵九与吏申笑堰剧廓荷逃襄雀逆淮维盏典隶藕准涸浸苍衰疵椭磨诬诬会壬贬窜泡济掐疗桓电子电路基础习题册参考答案免费提供（第三版）全国中等职业技术第一章常用半导体器件§1-1晶体二极管一、填空题1、物质按导电能力的强弱可分为导体、绝缘体和半导体三大类，最常用的半导体材料是硅和锗。2、根据在纯净的半导体中掺入的杂质元素不同，可形成N型半导体和P型半导体。3、纯净半导体又称本征半导体，其内部空穴和自由电子数相等。N型半导体又称电子型半导体，其内部少数载流子是空穴；P型半导体又称空穴型半导体，其内部少数载流子是电子。4、晶体二极管具有单向导电性，即加正向电压时，二极管导通，加反向电压时，二极管截止。一般硅二极管的开启电压约为0.5V，锗二极管的开启电压约为0.1V；二极管导通后，一般硅二极管的正向压降约为0.7V,锗二极管的正向压降约为0.3V。5.锗二极管开启电压小，通常用于检波电路，硅二极管反向电流小，在整流电路及电工设备中常使用硅二极管。6.稳压二极管工作于反向击穿区，稳压二极管的动态电阻越小，其稳压性能好。7在稳压电路中，必须串接限流电阻，防止反向击穿电流超过极限值而发生热击穿损坏稳压管。8二极管按制造工艺不同，分为点接触型、面接触型和平面型。9、二极管按用途不同可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开关、热敏、发光和光电二极管等二极管。10、二极管的主要参数有最大整流电流、最高反向工作电压、反向饱和电流和最高工作频率。11、稳压二极管的主要参数有稳定电压、稳定电流和动态电阻。12、图1-1-1所示电路中，二极管V1、V2均为硅管，当开关S与M相接时，A点的电位为无法确定V,当开关S与N相接时，A点的电位为0V.13图1-1-2所示电路中，二极管均为理想二极管，当开关S打开时，A点的电位为10V、流过电阻的电流是4mA；当开关S闭合时，A点的电位为0V，流过电阻的电流为2mA。14、图1-1-3所示电路中，二极管是理想器件，则流过二极管V1的电流为0.25mA，流过V2的电流为0.25mA,输出电压U0为+5V。15、光电二极管的功能是将光脉冲信号转换为电信号，发光二极管的功能是将电信号转换为光信号。16、用数字式万用表测量二极管，应将功能开关置于二极管挡，将黑表笔插入com插孔，接二极管的负极；红表笔插入V,Ω插孔，接二极管的正极，其显示的读数为二极管的正向压降。一、判断题1、在外电场作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流。（√）2、P型半导体中，多数载流子是电子，少数载流子是空穴。（×）3、晶体二极管有一个PN结，所以有单向导电性。（√）4、晶体二极管的正向特性也有稳压作用。（√）5、硅稳压管的动态电阻小，则稳压管的稳压性能愈好。（√）6、将P型半导体和N型半导体用一定的工艺制作在一起，其交界处形成PN结。（√）7、稳压二极管按材料分有硅管和锗管。（×）8、用万用表欧姆挡的不同量程去测二极管的正向电阻，其数值是相同的。（×）9、二极管两端的反向电压一旦超过最高反向电压，PN结就会击穿。（）10、二极管的反向电阻越大，其单向导电性能越好。（×）11、用500型万用表测试发光二极管，应选R×10K挡。（√）三、选择题1、当环境温度升高时，晶体二极管的反向电流将（A）。A．增大B.减小C.不变2、测量小功率晶体二极管性能好坏时，应把万用表欧姆档拨到（A）。A.R×100或R×1KB.R×1C.R×10K3、半导体中的空穴和自由电子数目相等，这样的半导体称为（B）。A.P型半导体B.本征半导体C、N型半导体4、稳压管的稳压性能是利用（B）实现的。A．PN结的单向导电性B.PN结的反向击穿特性C．PN结的正向导通特性5、电路如图1-1-4所示，已知两个稳压管的UZ1=7V，UZ2=5V它们的正向压降均为0.7V，则输出电压U0为（C）A.12VB.5.7VC.7.7VD.7V6、在图1-1-5所示的电路中，流过二极管的电流I1、I2分别是（D）。A.I1=8mA,I2=0B.I1=2mAC.I1=0,I2=6mAD.I1=0,I2=8mA7、二极管的正向电阻（B）反向电阻。A.大于B.小于C.等于D.不确定8、电路如图1-1-6所示，V为理想二极管，则二极管的状态为（A）。A.导通B.截止C.击穿9、上题中，A、B两端的电压为（C）。A.3VB.-3VC.6VD.-6V10、某二极管反向击穿电压为140V，则它的最高反向工作电压为（C）。A.280VB.140VC.70VD.40V11、二极管电路如图1-1-7所示，（1）处于导通状态的二极管是（A）。A．只有V1导通B．只有V2导通C．V1、V2均导通D．V1、V2均不导通（2）考虑二极管正向压降为0.7V时，输出电压U0为（B）。A．-14.3VB．-0.7VC．-12VD．-15V12、P型半导体中多数载流子是（D），N型半导体中多数载流子是（C）。A．正离子B．负离子C．自由电子D.空穴13、用万用表R×10和R×1K挡分别测量二极管的正向电阻，测量结果是（C）。A．相同B．R×10挡的测试值较小C．R×1K挡的测试值较小14、用万用表不同欧姆档测量二极管的正向电阻值时，测得的阻值不相同，其原因是（c）。A．二极管的质量差B．万用表不同欧姆档有不同的内阻C．二极管有非线性的伏安特性二、简答题1、什么是本征半导体？N型半导体？PN结？答：本征半导体即纯净的单晶半导体，其内部存在数量相等的两种载流子，一种是负电的自由电子，另一种是带正电空穴。N型半导体又称电子型半导体其内部自由电子数多于空穴数量，P型半导体又称空穴型半导体其内部空穴多数载流子自由电子少数载流子。PN结是采用掺杂工艺便硅和锗晶体的一边形成P型区，一边形成N型半导体。五．分析、计算、作图题1、判断图1-1-8中，理想二极管导通还是截止，若导通，则流过二极管的电流是多少？解：图a)V导通，I=5mA图b)V截止,I=0图c)V导通，I=10mA2、在图1-1-9所示电路中，二极管为理想二极管，ui=10sinωtV,试画出输出电压波形。3、在图1-1-10所示电路中，二极管为硅管，求A点电位和流过二极管的电流。4、在图1-1-11所示电路中，二极管是导通还是截止，输出电压U0是多少？图1-1-11解：a)V导通，U0=11.3Vb)V导通，I0=15-12/3=2mAUR=1×3=3VUO=UR-15=-12Vc)V导通，UO=0.7V§1-2晶体三极管一、填空题1、三极管有两个PN结，分别为发射结、集电结，三个电极分别为发射极、基极和基极，三极管按内部结构不同可分为NPN和PNP型。2、晶体三极管实现电流放大作用的偏置条件是发射结正偏和集电结反偏，电流分配关系是IE=IC+IB。3、在模拟电子电路中，晶体管通常被用作电流控制元件，工作在输出特性曲线上的放大区；在数字电子电路中，晶体三极管通常被用作开关元件，工作在输出特性曲线上区或饱和区或截止区。4、在一块正常放大电路板上，测得三极管1、2、3脚对地电压分别为-10V、-10.2V、-14V，则该管为PNP型锗材料三极管，1脚是发射极，2脚是基极，3脚是集电极。5、NPN型三极管，挡UBE＞0.5V，UBE＞UCE时，工作在饱和状态；当UBE＞0.5V，UBE＜UCE时，工作在放大状态；当UBE＜0时，工作在截止状态。6、当温度升高时，三极管的电流放大系数β将升高，穿透电流ICEO将增加，发射结电压UBE将增大。7、衡量晶体三极管放大能力的参数是共射电流放大系数，三极管的主要极限参数有集电极最大允许电流、集-发反向击穿电压、集电极最大允许耗散功率。8、因为晶体三极管的穿透电流随温度的升高增大，而锗管的穿透电流比硅管大，所以硅三极管的热稳定性好。9、三极管的输出特性可分为三个区域，即截止区和放大区，当三极管工作在饱和区时，IC=βIB才成立；当三极管工作在包河区时UCE=UCES；当三极管工作在截止区时，IC=O(ICEO)。10、ICEO称为三极管的穿透电流，它反映三极管的温度稳定性，ICEO是ICBO的1+β倍，先选用管子时，希望ICEO尽量小。11、测量晶体三极管3AX31的电流，当IB=20uA时，IC=2mA；当IB=60uA时，IC=5.4mA，则该管的β为85，ICEO=0.3mA,ICBO=3.5uA。12、设三极管的PCM=150mW,ICM=100mA,U(BR)CEO=30V,若UCE=10V,IC允许的最大值为15mA；若UCE=1V,IC允许的最大值为100mA；若IC=3A,UCE允许的最大值为30v。13、复合管是由两个以上的三极管按一定方式连接而成，用复合管提高输出级的电流放大倍数。14、有二只三极管构成的复合管的类型，取决于输入管三极管的类型，其电流放大系数β=β1×β2。二、判断题1、晶体三极管的发射区和集电区是由同一类半导体（N型或P型）构成的，所以发射极和集电极可以相互调换使用。（×）2、晶体三极管的放大作用具体体现在△IC=β△IB。（√）3、晶体三极管具有能量放大作用。（×）4、硅三极管的ICBO值要比锗三极管的小。（√）5、如果集电极电流IC大于集电极最大允许电流ICM时，晶体三极管肯定损坏。（√）6、晶体二极管和晶体三极管都是非线性器件。（√）7、3CG21管工作在饱和状态时，一定是UBE＜UCE。（×）8、某晶体三极管的IB=10uA时，IC=0.44mA;IB=20u时，IC=0.89mA,则它的电流放大系数β=45。（√）9、因为三极管有两个PN结，二极管有一个PN结，所以用两个二极管可以连接成一个三极管。（×）10、判断图1-2-1所示各三极管的工作状态（NPN型为硅管，PNP型为锗管）。11、复合管的共发射极电流放大倍数β等于两管的β1、β2之和。（×）12、晶体三极管的主要性能是具有电压和电流放大作用。（√）三、选择题1、三极管的发射结正偏，集电结反偏时，三极管处于（A）A.放大状态B.饱和状态C.截止状态2、三极管在饱和状态时，它的IC将（C）。A.