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《电力电子技术》实验报告测控技术与仪器系076112陈硕20111003681《电力电子技术》实验报告076112陈硕实验一DC-DC变换电路的性能研究一、实验目的熟悉Matlab的仿真实验环境,熟悉Buck电路、Boost电路、Cuk电路及单端反激变换(Flyback)电路的工作原理,掌握这几种种基本DC-DC变换电路的工作状态及波形情况,初步了解闭环控制技术在电力电子变换电路中的应用。二、实验内容1.Buck变换电路的建模,波形观察及相关电压测试2.Boost变换电路的建模,波形观察及相关电压测试;3.Cuk电路的建模,波形观察及电压测试;4.单端反激变换(Flyback)电路的建模,波形观察及电压测试,简单闭环控制原理研究。(一)Buck变换电路实验1.电路模型降压变换器的输入电压为200V,输出电压为50V,纹波电压为输出电压的0.2%,负载电阻为20Ω,工作频率为20kHz。电感电流连续。Matlab模型可参见图1。ContinuouspowerguiUYUYScopeRPulseGenerator3MultimetergmDSMosfetInMeanMeanValueLDisplaymakDiodeC200V图1Buck电路的Matlab模型(参考)2、实验内容(1)计算电感及电容参数,完成各模块参数设置,建立仿真模型;(2)记录MOSFET的门极电压、MOSFET电流、续流二极管电流、电感电流、输出电压的波形;(3)测量输出电压的平均值并显示;(4)将工作频率改为50kHz,记录上述各波形。3、实验步骤《电力电子技术》实验报告测控技术与仪器系076112陈硕20111003681(1)利用Matlab中的Simulink建立满足条件的电路模型,如图1所示。图1Buck电路模型(2)参数计算按照所给电路模型参数设置负载电阻阻值为20Ω,由模型中给出数据得占空比D=Vo/Vd=0.25,由公式Iob=Vo(1-D)/2Lfs,电感电流连续,故可得不等式Iomin≥Iob=Vo(1-D)/2L*fs,∵Io=50/20=2.5A,∴L≥Vo(1-D)/2Io*fs=0.375mH。本模型中选取了L=0.375mH。由于纹波电压△V/Vo=[π*(fc/fs)]²*(1-D)]/2≤0.2%,∴fc=1/(2*pi*√LC)≤(fs*√[0.4%/(1-D)]/π,∴C≥1/(4*π2*L*fc2),计算后选取的C值为312uF,满足计算条件。4、实验结果与分析(1)当fs=20kHz时,在scope端观察到的波形图如下,其中波形1为门极电压,波形2为电感电压,波形3为电感电流,波形4为输出电压,波形5为MOSFET电流,波形6为续流二极管电流:《电力电子技术》实验报告测控技术与仪器系076112陈硕20111003681将其局部放大后的图形为:(2)当fs=50kHz时,在scope端观察到的波形图及其局部放大图如下:(3)记录输出电压的平均值当fs=20kHz时,程序运行稳定后,在电路模型的Display中可直接观测到平均电压值,为49.8V,如图2所示。(4)分析提高开关频率对输出波形的影响由图对比可看出,提高开关频率之后,MOSFET电流,续流二极管电流、电感电流在一个周期变量化变小,输出电压波形更稳定,由此看出纹波系数也变小。而这一结果与理论分析相吻合。《电力电子技术》实验报告测控技术与仪器系076112陈硕20111003681(二)Boost变换电路实验1.电路模型升压变换器的输入电压为3-6V,输出电压为15V,纹波电压低于输出电压的0.2%,负载电阻为10Ω,工作频率为40kHz。电感电流连续。ContinuouspowerguiScopeRPulseGenerator3MultimetergmDSMosfetInMeanMeanValueLDisplaymakDiodeC6VDiodecurrentMOSFETcurrentMOSFETcurrent图2Boost电路的Matlab模型(参考)2、实验内容(1)计算电感及电容参数,完成各模块参数设置,建立仿真模型;(2)记录在输入电压为6V时,MOSFET的门极电压、MOSFET电流、续流二极管电流、电感电流、电感电压、输出电压的波形;(3)测量输出电压的平均值并显示;(4)减小电感值到4μH,使电感电流不连续,其余条件不变,记录上述各波形。3、实验步骤(1)利用Matlab中的Simulink建立满足条件的电路模型,如图2所示。图2Boost电路模型(2)参数计算按照所给电路模型参数设置负载电阻阻值为10Ω,取Vs=6V,由模型中给出数据得占空《电力电子技术》实验报告测控技术与仪器系076112陈硕20111003681比D=1-Vs/Vo=0.6,由公式Iob=Vo*D(1-D)2/2Lfs,电感电流连续,故可得不等式Iomin≥Iob=Vo*D(1-D)2/2L*fs,∵Io=15/10=1.5A,∴L≥Vo*D(1-D)2/2Io*fs=0.011mH,本模型中选取了L=0.011mH。由于纹波电压△V/Vo=D*fc/fs≤0.2%,∴fc=1/RC≤0.2%*fs/D=1.34kHz,∴C≥1/(R*fc)=75uF,本模型中选取的C值为75uF。4、实验结果与分析(1)当fs=20kHz时,在scope端观察到的波形图及其局部放大图如下:《电力电子技术》实验报告测控技术与仪器系076112陈硕20111003681(2)当fs=50kHz时,在scope端观察到的波形图及其局部放大图如下:(3)记录输出电压的平均值当fs=20kHz时,程序运行稳定后,在电路模型的Display中可直接观测到平均电压值,为14.3V,如图2所示。(4)当减小电感值到4μH,使电感电流不连续时,在scope端观察到的波形图及其局部放大图如下:(5)分析电感小于临界值时对输出电压波形的影响理论分析结果为,减小电感时,占空比将变小,输出的临界电流将增大,电感电流可能出现断流,而根据公式,也可推导出二极管电流和MOSFET管电流在一个周期内的上升率和下降率都变大,而此时,输出电压增大,纹波系数变小。从上图的结果可以看出实际仿真结果基本符合理论分析。《电力电子技术》实验报告测控技术与仪器系076112陈硕20111003681(三)Cuk变换电路实验1.电路模型输入电压为20V,输出电压为5~30V,负载电阻为10Ω,工作频率为10kHz。电容C1为4700μf,负载侧电容为3300μf,L1和L2分别为4mH和1mH。图3Cuk变换电路的Matlab模型(参考)2、实验内容(1)建立仿真模型;(2)记录MOSFET的门极电压、MOSFET电流、续流二极管电流、电压,电感电流、电压、电容电压UC1输出电压的波形;(3)测量输出电压的平均值并显示;(4)在5~30V输出范围内,改变占空比D的值,测量对应输出电压平均值。3、实验步骤(1)利用Matlab中的Simulink建立满足条件的电路模型,如图3所示。图3Cuk电路模型《电力电子技术》实验报告测控技术与仪器系076112陈硕201110036814、实验结果与分析(1)在scope端观察到的波形图及其局部放大图如下:其中波形1为MOSFET的门极电压,波形2为输入电流,波形3为电感电流。在Scope3中,波形1为MOSFET电流,波形2为续流二极管电流。《电力电子技术》实验报告测控技术与仪器系076112陈硕20111003681(2)记录输出电压的平均值当fs=20kHz时,程序运行稳定后,在电路模型的Display中可直接观测到平均电压值,为28.12V,如图3所示。(3)改变占空比后所对应的电压平均值列表如下:占空比D20%30%40%50%60%电压值(V)4.37.712.418.828.2由表中数据得到的输出电压与占空比点关系曲线如图4:在matlba上画图程序如下所示x=[20,30,40,50,60];y=[4.3,7.7,12.4,18.8,28.2];plot(x,y);图4输出电压与占空比点关系曲线(三)Flyback变换电路实验《电力电子技术》实验报告测控技术与仪器系076112陈硕20111003681实验二DC-AC变换电路的性能研究一、实验目的熟悉单相桥式方波逆变电路、单相SPWM逆变电路、三相桥式方波逆变电路、三相SPWM逆变电路的工作原理,掌握这几种种基本DC-AC变换电路的工作状态及波形情况,掌握利用Matlab中FFT工具分析各种输出波形畸变情况的方法。二、实验内容1.单相桥式方波逆变电路的建模,波形观察及相关电压、电流测试;2.三相桥式方波逆变电路的建模,波形观察及相关电压、电流测试。(一)单相逆变电路实验1.电路模型单相桥式方波逆变电路和单相桥式SPWM逆变电路的Matlab模型可参见图6。直流电压为300V,输出电压频率为50Hz。2.实验内容(1)建立仿真模型;(2)R=30Ω时,测试两种工作情况下MOSFET的门极电压波形、负载电压、电流波形;(3)R=20Ω、L=60mH时,测试两种工作情况下MOSFET的门极电压波形、负载电压、电流波形,(4)L=100mH时,测试两种工作情况下MOSFET的门极电压波形、负载电压、电流波形;(5)R=30Ω时,对两种工作情况下的输出电流进行FFT分析。《电力电子技术》实验报告测控技术与仪器系076112陈硕201110036813.实验步骤1.1R=30Ω时,方波逆变方式下MOSFET的门极电压波形、负载电压、电流波形依次如下图所示:1.2R=30Ω时,单相桥式SPWM逆变下MOSFET的门极电压波形、负载电压、电流波形依次如下图所示:《电力电子技术》实验报告测控技术与仪器系076112陈硕201110036812.1R=20Ω、L=60mH时,方波逆变方式下MOSFET的门极电压波形、负载电压、电流波形依次如下图所示:2.2R=20Ω、L=60mH时,单相桥式SPWM逆变下MOSFET的门极电压波形、负载电压、电流波形依次如下图所示:《电力电子技术》实验报告测控技术与仪器系076112陈硕201110036813.1L=100mH时,方波逆变方式下MOSFET的门极电压波形、负载电压、电流波形依次如下图所示:3.2L=100mH时,单相桥式SPWM逆变下MOSFET的门极电压波形、负载电压、电流波形依次如下图所示:《电力电子技术》实验报告测控技术与仪器系076112陈硕201110036814.1R=30Ω时,方波逆变方式下的输出电流FFT分析:4.2R=30Ω时,单相桥式SPWM逆变下的输出电流FFT分析:《电力电子技术》实验报告测控技术与仪器系076112陈硕20111003681(二)三相逆变电路实验1.电路模型三相桥式方波逆变电路和三相桥式SPWM逆变电路的Matlab模型可参见图6。直流电压为300V,输出电压频率为50Hz。ContinuouspowerguiVg6Vg5Vg4Vg3Vg2Vg1gABC+-UniversalBridgeScope3MultimeterLoad_cLoad_bLoad_ai+-(a)方波逆变方式ContinuouspowerguigABC+-UniversalBridgeScopePulsesPWMGenerator3MultimeterLoad_cLoad_bLoad_ai+-(b)SPWM方式图7三相桥式逆变电路的Matlab模型(参考)《电力电子技术》实验报告测控技术与仪器系076112陈硕20111003681(a)方波逆变方式(b)SPWM方式2.实验内容(1)建立仿真模型;(2)每相负载R=30Ω时,测试两种工作情况下MOSFET的门极电压波形、负载电压、电流波形;(3)每相负载R=20Ω、L=60mH时,测试两种工作情况下负载电压、电流波形;(4)每相负载L=100mH时,测试两种工作情况下负载电压、电流波形;(5)R=30Ω时,对两种工
本文标题:电力电子实验—陈硕
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