K9F2G08U0A-中文数据手册

FLASH存储器1K9F2G08U0AK9F2G08R0AK9F2G08UXA*三星电子保留更改产品或规格不另行通知的权利。本文档中的信息是关于三星提供的产品的，如有更改，恕不另行通知。在本文件中的任何规定不得解释为授予任何许可证，明示或暗示，禁止用反语或其他方式。关于三星的产品或技术的任何知识产权，本文提供所有信息。对“本文如您所见的样子(不再作修理或改进)”的基础上无任何形式的保证或保修。1.更新或对三星产品附加信息，请联系距离您最近的三星办公室。2.三星的产品不用于生命维持，危重病人护理，医疗，安全设备，或类似的在产品故障可能导致人身或身体伤害损失的应用，或任何军事或国防应用，或任何政府特别条款或规定说明可以采购适用的应用。中文翻译：秦佳奇联系邮箱：[e-mail]个人水平有限，如有错误欢迎指出有任何问题联系我的邮箱O(∩_∩)OFLASH存储器2文档标题256Mx8Bit(256MByte)NANDFlash存储器历史版本附加的数据表格由三星电子制备和提供。三星电子有限公司，公司保留更改规格的权利。三星电子将评估和回复您的要求和有关设备的问题。如果您有任何问题，请联系你附近的三星办事处办公室。修订号0.00.10.20.30.41.01.11.21.3备注先行版先行版初步版初步版初步版最终版修正历史1.首次发行1.增加1.8V模块。2.定义tRHW参数,tCSD参数。3.删除4GDDPLGA部分。4.添加技术说明。(第18页)1.FBGA封装尺寸变化2.删除1.8VTSOP封装方案1.1.8VIoh/Iol(拉电流/灌电流)条件改变2.最小tADL参数(@3.3)范围改变为70ns到100ns1.1.8V设备提供copy-back编程功能1.1.8V交流时序条件改变2.1.8V设备增加tRPB/tRCB/tREAB参数1.tCSD参数改变.(10ns-0ns)1.tCS参数从31ns到25ns,tREH参数从15ns到10ns(@1.8V)草案日期2005.11.92006.3.172006.3.252006.6.12006.6.292006.8.232007.1.152007.3.152007.6.4K9F2G08R0AK9F2G08U0AFLASH存储器3K9F2G08U0AK9F2G08R0A特性•电源电压-1.65V~1.95V-2.70V~3.60V•组织结构-存储单元阵列:(256M+8M)x8bit-数据寄存器:(2K+64)x8bit•自动的编程(写入)和擦除-页编程:(2K+64)Byte-块擦除:(128K+4K)Byte•页读取操作-页面大小:(2K+64)Byte-随机读取:25µs(最大.)-串行访问:25ns(最小.)(*K9F2G08R0A:tRC=42ns(最小))•快速编程周期时间-页编程时间:200µs(典型值)-块擦除时间:1.5ms(典型值)•命令/地址/数据复用I/O端口•硬件数据保护•-编程/擦除在电源转换分离可靠的CMOS浮栅技术-耐力:100K编程/擦除周期(有1bit/512ByteECC)数据保存时间:10年•命令式操作•带有1bit/528ByteEDC的智能Copy-Back编程•唯一的ID版权保护•封装-K9F2G08R0A-JCB0/JIB0:无铅封装63-BallFBGAI(10x13/0.8mm间距)-K9F2G08U0A-PCB0/PIB0:无铅封装48-PinTSOPI(12x20/0.5mm间距)-K9F2G08U0A-ICB0/IIB052-PinULGA(12x17/1.00mm间距)一般说明本文档提供的为256Mx8bit的版本,K9F2G08X0A是2G-bit大小的NANDFlash存储器，带有64Mbit额外数据区(OOB区、冗余区)。此NAND存储颗粒为固态存储市场应用提供了最具成本效益的解决方案。编程(写入)操作可以在200µs(典型值)对大小为(2K+64)Byte的页进行写入，擦除操作可以在1.5ms(典型值)擦除大小为(128K+4K)的块。读取数据寄存器的数据周期时间为25ns(1.8v设备为42ns)每字节。I/O端口可以作为地址和数据输入/输出，也可以作为命令输入。芯片上的写控制器自动完成所有的编程和擦除功能包括脉冲重复、并内部核查和数据余量(如有需要)。即使是写入操作频繁的系统，也可以通过K9F2G08X0A采用实时映射算法的ECC(错误纠正码)来加强多达的100K编程/擦除周期的可靠性，K9F2G08X0A是一个用于大型非易失性存储应用的最佳解决方案，例如固态文件存储和其他用于非易失性要求的便携式存储应用。256Mx8BitNANDFlash存储器产品列表零件型号电压范围组织结构（数据位宽）封装形式K9F2G08R0A-J1.65~1.95VX8FBGAK9F2G08U0A-P2.70~3.60VTSOP1K9F2G08U0A-I52ULGA•FLASH存储器4K9F2G08U0AK9F2G08R0A引脚配置(TSOP1封装)K9F2G08U0A-PCB0/PIB0封装尺寸48-PIN铅/无铅塑料薄膜小输出直插式封装类型48-TSOP1-1220F单位:毫米/英寸0.787±0.00820.00±0.20#1#240.20+0.07-0.030.008+0.003-0.0010.500.0197#48#250.48812.40最大12.000.4720.100.004最大0.250.010()0.039±0.0021.00±0.050.0020.05最小0.0471.20最大0.45~0.750.018~0.0300.724±0.00418.40±0.100~8°0.0100.25典型0.125+0.0750.0350.005+0.003-0.0010.500.020()48引脚TSOP1标准型12mmx20mm123456789101112131415161718192021222324484746454443424140393837363534333231302928272625N.CN.CN.CN.CN.CN.CR/BRECEN.CN.CVccVssN.CN.CCLEALEWEWPN.CN.CN.CN.CN.CN.CN.CN.CN.CI/O7I/O6I/O5I/O4N.CN.CN.CVccVssN.CN.CN.CI/O3I/O2I/O1I/O0N.CN.CN.CN.CFLASH存储器5K9F2G08U0AK9F2G08R0AK9F2G08R0A-JCB0/JIB0引脚配置(FBGA封装)R/B/WE/CEVssALE/WP/RECLENCNCNCNCVccNCNCI/O0I/O1NCNCVccI/O5I/O7VssI/O6I/O4I/O3I/O2VssNCNCNCNCNCNCNCNCNCNCNCNCNCNCNCNCNCNCNCNCN.CN.CN.CN.CN.CN.CN.CN.CN.CN.CN.CN.CN.CN.CN.C345612ABCDGEFH顶视图FLASH存储器6K9F2G08U0AK9F2G08R0A10.00±0.10#A1侧视图顶视图1.00(最大)0.45±0.05底视图13.00±0.1063-∅0.45±0.050.25(最小)0.10最大0.20MAB∅13.00±0.104321ABCDG0.80x7=5.6013.00±0.100.80x5=4.000.80BA2.802.0010.00±0.10(基准线B)(基准线A)0.800.80x11=8.800.80x9=7.2065EFH#A1索引标记(可选)封装尺寸(FBGA封装)FLASH存储器7K9F2G08U0AK9F2G08R0A1.001.001.001.002.0076543211.001.001.0012.00±0.10#A117.00±0.1017.00±0.10BA12.00±0.10(基准线B)(基准线A)12.0010.002.502.502.000.501.30ABCDEFGHJKLMN12-∅1.00±0.0541-∅0.70±0.05侧视图0.65(最大)0.10C17.00±0.10顶视图底视图ABCDEFGHJKLMN7654321引脚配置(ULGA封装)K9F2G08U0A-ICB0/IIB052-ULGA(以毫米为单位测量)NCNCNCNCNCNCNCNCNCNCNCNCNCNCNCNCVccVccVssVssVss/RENC/CENCCLENCALENC/WENC/WPNCR/BNCVssIO0NCIO1NCIO2IO3NCNCIO4NCIO5NCIO6NCIO7NC∅ABCM0.1∅ABCM0.1封装尺寸FLASH存储器8引脚说明注:1.把每个设备的所有VCC和VSS引脚接到共同的电源输出。2.不要留下未连接的VCC和VSS引脚。引脚名称引脚功能I/O0~I/O7数据输入/输出口I/O引脚用来输入命令、地址和数据，在读操时可以用来输出数据。当I/O引脚为浮空高阻状态或芯片未被选中时，引脚被禁用。CLE命令锁存使能CLE输入引脚用来控制命令信号送入内部命令寄存器的线路的激活。高电平时，在WE信号的上升沿时命令通过IO口锁存到命令寄存器中。ALE地址锁存使能ALE输入引脚用来控制地址信号送入内部地址寄存器的线路的激活。高电平时，在WE信号的上升沿时地址通过IO口锁存到地址寄存器中。CE片选使能CE输入引脚用来选择要控制的设备。当设备在繁忙状态时,CE高电平时被忽略,并且设备在编程/擦除操作时设备不会返回到待机模式。RE读使能RE输入引脚控制串行数据输出,在使激活状态将数据驱动到I/O总线上。数据在RE下降沿之后的一段时间(tREA)内有效，同时通过一个内部地址计数递增地址。WE写使能WE输入引脚控制对I/O引脚的写入。当WE脉冲信号的上升沿时，命令、地址和数据被锁存。WP写保护WP提供非操作的电源变化时的编程/擦除保护。当WP被置为低电平时，内部高电压发生器被重置。R/B就绪/忙状态输出R/B引脚的输出指示设备运行的状态。为低电平时，表示设备有编程、擦除或随机读取操作在进行，当操作完成时返回高电平输出。这是一个开漏输出引脚并且在芯片未选中使能或输出被禁用时不浮空到高阻状态。Vcc电源VCC是设备的供电引脚Vss接地引脚N.C不连接无内部连接K9F2G08R0AK9F2G08U0AFLASH存储器9K9F2G08U0AK9F2G08R0A2KBytes(存储区)64Bytes(额外区域)图1.K9F2G08X0A功能框图图2.K9F2G08X0A存储阵列结构注:列地址从寄存器地址开始。A11在访问额外区域时有效，访问存储区时A11为0不加入地址计算。*L必须置为低电平。*设备会忽略任何超出要求的额外的地址输入。I/O0I/O1I/O2I/O3I/O4I/O5I/O6I/O7第一周期A0A1A2A3A4A5A6A7第二周期A8A9A10A11*L*L*L*L第三周期A12A13A14A15A16A17A18A19第四周期A20A21A22A23A24A25A26A27第五周期A28*L*L*L*L*L*L*LVCCX-BuffersCommandRegister(命令寄存器)I/OBuffers&Latches(I/O缓冲&锁存)Latches&DecodersY-BuffersLatches&DecodersControlLogic&HighVoltageGeneratorGlobalBuffersOutputDriverVSSA12-A28(地址)A0-A11(地址)Command(命令)CEREWECLEWPI/00I/07VCCVSS128K页(=2,048块)2KBytes8bit64Bytes1块=64页(128K+4k)BI/O0~I/O71页=(2K+64)B1块=(2K+64)Bx64页=(128K+4K)B1Device=(2K+64)Bx64页x2,04