MOS温度

MOS温度目前,许多电源工程师在设计产品均会遇到MOS,变压器温升过高之现象.针对此情况,做过许多相关试验验证,已有解决方案.MOS温度高,与设计线路有关,同时与MOS本身设计也有关系.具体MOS哪些参数会影响呢?如何修改电源产品本身的参数?这是一个电源行业与MOS行业共同的话题.根椐多年来整理的对策,现与大家共同探讨.第一要点:Pd=(Tj-Tc)/Rthjc=I*I*R*F;根椐这个公式,你可以完全计算出你的MOS的温度.影响MOS本身温度高的最大参数就是Rds(on),阻值越小,温升肯定越好(同条件测试下),反之,温升肯定高.就拿2A/600VMOS来说吧,FSC的2N60CRds(on)=3.8ohm(Ref),4.7ohmmax,参考其它品牌.(注:MOS内部的散热片体积大小,也同样会影响MOS的温度,你可参拿不同品牌的MOS解剖看看散热片的大小)第二点,产品设计中要点:1)变压器的应力设计是否依MOS的规格设计?MOSFET(Q1)=最高输入电压+Np/Ns(Vo+Vd)最高输入电压:264VACNp:初次侧圈数.Ns:次级侧圈数.Vd:输出二极管的压降.如果你的设计超出或接近MOSFET的最高规格时,你应该修改你的变压器设计....第三点GATE电阻的选择.一般而言,阻值大,Q1turnon/turnoff的速度较慢,温升值很高.一般选用在50~150ohm(如串联一个二极管4148效果更好.)还有其它因素,MOS管自身设计的原因等等,都会造成MOS温升过高.以上仅个人观点~