模拟电子技术复习题(含答案)

模拟电子技术复习题一、判断题（在正确的论断前的括号内填入“√”，否则填入“×”。）第二章（×）1.运算电路中一般引入正反馈。（√）2.凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。第三章（×）1.因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（×）2.因为P型半导体的多子是空穴，所以它带正电。（×）3.稳压二极管在稳压工作时，只要反向击穿，不需要限流。（√）4.N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（×）5.二极管的正向偏置电压升高时，其正向电阻增大。（√）6.PN结中的空间电荷区是由带电的正负离子形成的，因而它的电阻率很高。（×）7.未加外部电压时，PN结中电流从P区流向N区。第四章（√）1.放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。（√）2.直接耦合多级放大电路各级的Q点相互影响。（×）3.晶体管的参数不随温度变化。（√）4.放大电路没有直流偏置不能正常工作。（×）5.多级放大电路总的电压放大倍数，等于各级空载电压放大倍数的乘积。（√）6.放大电路的直流分析，要依据直流通路图；放大电路的交流小信号分析计算，要依据交流通路图。（×）7.只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。（×）8.放大电路在低频信号作用时，放大倍数下降的原因是半导体管的非线性特性。（×）9.射极跟随器的放大倍数为1，因此在电路不起任何作用。（×）10.只要将晶体管的静态工作点设置在BJT特性曲线的放大区，则不论输入什么信号都不会产生非线性失真。（×）11.多极放大电路的级数越多，其放大倍数越大，且其通频带越宽。（√）12.射极输出器的输入电流是Bi，输出电流是Ei，因此具有较高的电流放大倍数。第五章（×）1.场效应管都可分为增强型和耗尽型两种。（√）2.MOSFET的输入电阻比BJT高。第六章（√）1.运放的共模抑制比CVDVCMRAAK。（×）2.通用型集成运放的输入级采用差分放大电路，这是因为它的电压放大倍数大。（×）3.某差动放大电路的差模电压放大倍数Avd=1000，共模电压放大倍数Avc=10，则其共模抑制比KCMR=100dB。（√）4.在集成电路中各级电路间采用直接耦合方式。（√）5.产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。第七章（√）1.负反馈放大电路可能产生自激振荡。（×）2.电流负反馈既然稳定输出电流，那么必然稳定输出电压。（×）3.若放大电路的放大倍数为负，则引入的反馈一定是负反馈。（×）4.某一放大电路中引入了直流负反馈和交流电压串联负反馈，这些反馈能够稳定输出电流。（×）5.要稳定放大电路静态工作点，可以引入交流负反馈。第八章（√）1.功率放大电路的转换效率VOPP。（×）2.在功率放大电路中，输出功率越大，功放管的管耗功率就越大。（√）3.通常采用图解法分析功率放大电路。（√）4.功率放大电路工作在大信号状态，要求输出功率大，且转换效率高。第九章（√）1.负反馈放大电路在一定条件下可能转化为正反馈。（√）2.欲使振荡电路能自行建立振荡，起振时应满足1AF的条件。（√）3.RC正弦波振荡电路产生的信号频率可通过改变RC串并联网络中电阻R和电容C的值来调节。（×）4.正弦波振荡电路中只能引入正反馈，不允许出现负反馈。（√）5.在采用正反馈方框图的条件下，如果正弦波振荡电路反馈网络的相移为f，放大电路的相移为a，那么只有φa+φf=2nπ，才满足相位平衡条件。（√）6.从结构上来看，正弦波振荡电路是一个没有输入信号的带选频网络的正反馈放大器。第十章（√）1.整流电路可将正弦电压变为单方向的脉动电压。（√）2.直流电源是一种能量转换电路，它将交流能量转换为直流能量。二、填空题第二章1.为使运放电路稳定地工作在线性区，应在电路中引入深度负反馈。2.工作在线性区的理想运放器，两个输入端的输入电流均约等于零称为虚断。第三章1.稳压管稳压时是让其工作在反向击穿状态。2.某放大电路中，测得三极管的三个极静态电位分别为-10V，-6V，-6.2V，则这只三极管是PNP型锗管。（写出三极管的类型NPN型还是PNP型，是硅管还是锗管。）3.齐纳二极管是一种特殊二极管，常利用它在反向击穿状态下的恒压特性来构成简单的稳压电路。第四章4.晶体管是温度的敏感元件，当温度升高时其参数ICBO将变大（大；小）。5.放大电路的静态分析，要依据直流通路图；放大电路的动态分析，要在交流通路图的基础上画出小信号等效电路图。6.多级放大电路总的电压放大倍数，等于各级有载电压放大倍数的积，总的输入电阻等于第一级放大电路的输入电阻。7.单管共集电极放大电路如下图所示，当Rb太小时，将产生饱和失真，其输出电压的___顶部___波形会被削掉。8.单管共射放大电路中，若输入电压为正弦波，在中频通带内ou和iu的相位相反（同；反）。9.放大电路静态工作点不稳定的原因主要是由于受温度的影响。10.晶体管是温度的敏感元件，当温度升高时其参数β将变大（大；小）。11.放大电路静态工作点设置过高输出波形易产生饱和失真。12.晶体管是温度的敏感元件，如果温度升高三极管的输出特性曲线将向__上__（上；下）移动。13.放大电路静态工作点设置过低输出波形易产生截止失真。14.下图为某放大电路vA的对数幅频特性图，则该电路的上限截止频率为810HZ，下限截止频率为210HZ。dB20lg/vA/HZf20406012104106108101010+20dB/十倍频程-20dB/十倍频程15.用示波器观察NPN管共射单管放大器的输出电压波形如下图所示，判断该波形属于截止失真。16.下图是放大管的不完整的符号，根据图中所给数据和电流方向，判断它的类型为NPN型。题15图题16图第五章1.下图所示的是某管子的转移特性曲线，则它是N沟道耗尽型MOSFET管。2．NMOS增强型场效应管在放大区的电流控制关系是2DnGST()iKvV。第六章电流源电路的特点是直流电阻小，动态输出电阻大。第七章1.为减小放大电路的输出电阻，应引入并联负反馈。2.为了稳定静态工作点，应引入直流负反馈。3.在反馈电路中，若∣1+AF∣1，则为___负___反馈；若∣1+AF∣1时,则为__正____反馈。4.下图所示电路的反馈极性是正反馈。5.为了稳定放大电路的输出电压，应引入电压负反馈；为了增大放大电路的输入电阻，应引入串联负反馈。第八章1.双电源互补对称电路工作在乙类时，每只BJT的最大允许管耗CMP必须大于0.2omP。2.下图功放电路中VCC＝12V，RL=6Ω，则最大输出功率POM＝12W，最高转换效率为78.5%。第九章1.希望获取频率为100HZ—500HZ的有用信号，应选用带通滤波电路。2.正弦波振荡电路主要有RC和LC型振荡电路两大类,RC型振荡电路一般用来产生低频信号，LC型振荡电路一般用来产生高频信号。3.在RC桥式正弦波振荡电路中，若RC串并联选频网络中的电阻均为R，电容均为C，则其振荡频率of12RC。4.正弦波振荡器主要由放大电路、反馈网络、选频网络和稳压电路四部分组成。第十章在电子系统中，经常需要将交流电网电压转换为稳定的直流电压，为此要用整流、滤波和稳压等环节来实现。三、单项选择题（每题2分,共20分）第一章1.要使电压放大器具有较强的带负载能力，应减小放大器的哪个参数（C）。A.VAB.iRC.oRD.LR第三章1．N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的（D）。A.电子B.空穴C.三价元素D.五价元素2.当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（A）。A.增大B.不变C.减小D.不能确定3.晶体二极管具有（A）特性。A.单向导电B.集电极电压饱和C.双向导电D.集电极电流截止4．PN结加正向电压时，空间电荷区将（A）。A.变窄B.基本不变C.变宽D.无法确定5．二极管的端电压为U，则二极管的电流方程是（C）。A.ISeUB.SeTUnUIC.S(e1)TUnUI－D.S(e1)TUnUI6.二极管两端加上正向电压后有一段死区电压。锗管为（A）V伏。A.0.1B.0.3C.0.4D.0.77.稳压管稳压是利用它的特性，所以必须给稳压管外加电压。（C）A.单向导电，反向B.反向击穿，正向C.反向击穿，反向D.单向导电，正向8.硅二极管的正向导通压降比锗二极管的（A）。A.大B.小C.相等D.无法确定第四章1.在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，在中频通带范围内oV和iV的相位（B）。A.同相B.反相C.相差90度D.不确定2.晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（B）。A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏D.前者反偏、后者正偏3.一个三极管放大电路，Bi=60μA，Ci=2mA,β值为50，这个三极管工作在（D）状态。A.放大B.击穿C.截止D.饱和4.电路如图1所示，二极管为理想二极管，对二极管工作状态的判断及输出电压大小的确定均正确的是（B）。A.二极管D截止V0o1UB.二极管D导通V2o1UC.二极管D导通V0o1UD.二极管D截止V2o1U图1图25.已知某MOS场效应管的转移特性如图2所示，试判断该场效应管的类型为（B）。A.N沟道增强型MOS场效应管B.N沟道耗尽型MOS场效应管C.P沟道增强型MOS场效应管D.P沟道耗尽型MOS场效应管6.当信号频率等于放大电路的Lf或Hf时，放大倍数的值约下降到中频时的（B）。A.0.5倍B.0.7倍C.0.9倍D.1倍7.两级放大电路的带负载电压放大倍数分别是V1A=－10，V2A=－20，则此放大电路总的电压放大倍数应是（C）。A.VA=－30B.VA=－10C.VA=200D.VA=-2008.BJT三极管具有光敏性和热敏性的原因是由于（B）。A.只有一种载流子参与导电B.两种载流子参与导电且少子是由本证激发产生的C.电子、空穴两种载流子都参与导电D.两种载流子参与导电且多子是由本证激发产生的9.要使放大器具有较好的频率特性，应选用哪种放大组态（D）。A.共射极B.共源极C.共集电极D.共基极10.对于共集放大电路的特点，其错误的结论是（B）。A.电压放大倍数小于1且近似等于1B.电流放大倍数小于1且近似等于1C.输出电阻小，且与信号源内阻有关D.输入电阻大，且与负载有关11.BJT三极管放大电路的三种组态中，因其输出电阻小而被用于多级放大电路输出级的是（B）。A.共射极B.共集电极C.共基极D.共源极12．放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是（B）。A.耦合电容和旁路电容的存在B.半导体管极间电容和分布电容的存在C.半导体管的非线性特性D.放大电路的静态工作点不合适14．考虑了带负载增益分别为V120lg30dBA，V220lg30dBA，V320lg20dBA的三级放大电路，则总的电压增益为（B）dB。A.1800dBB.80dBC.600dBD.60dB15．多级直接耦合放大器中，影响零点漂移最严重的一级是（A）。A.输入级B.中间级C.输出级D.增益最高的一级16．某放大电路中，测得三极管的三个极静态电位分别为5V，1.3V,1V,则这只三极管是（B）。A.NPN型的硅管B.NPN型的锗管C.PNP型的硅管D.PNP型的锗管17.下面各电路器件符号，哪个表示的是晶体三极管？（C）。A.B.C.D.18.工作在放大区的三极管，当Bi从20μA增大至40μA时，Ci从1mA变为2mA，其β值约为（B）。A.100B.50C.500D.100019.一个放大器输入端输入有效值为50mV的正弦交流电，从输出端测量其有效值电压为1V，则其电压放大倍数为（D）。A.1000B.100C.200D.2020.一个三极管若放弃集电极不用，那么基极和发射极之间可当作（B）器件使用。A.晶体三极管B.晶体二极管C.固定电阻D.大容量电容21.共集电极放大电路的放大倍数，而电流放大倍数。（C）A.≤1,很小B.≥1,很大C.≤1,很大D.≥1,很小22.工作在放大区的三极管，已