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1、为了描述显示器的每个局部面元在各个方向的辐射能力,最适合的辐射度量是()(答案:D)D、辐射亮度2、已知某辐射源发出的功率为1W,该波长对应的光谱光视效率为0.5,则该辐射源辐射的光通量为()(答案:B)B、341.5lm3、半导体()电子吸收光子能量跃迁入(),产生电子—空穴对的现象成为本征吸收。(答案:A)A、价带,导带4、电磁波谱中可见光的波长范围为()(答案:A)A、0.38~0.78um5、100W标准钨丝灯在0.2sr范围内所发出的辐射通量为()(答案:A)A、1.592W6、用照度计测得某环境下的照度值为1000lx,该环境可能是()(答案:B)B、阴天室外7、已知某He-Ne激光器的输出功率为8mW,正常人眼的明视觉和暗视觉最大光谱光是效能分别为683lm/W和1725lm/W,人眼明视觉光谱光视效率为0.24,则该激光器发出的光通量为()(答案:D)D、1.31lm多项选择题(每题6分,共7题。少选视正确答案多少酹情给分,多选不得分)1、光电探测器中的噪声主要包括()。(答案:A,B,C,D,E)A、热噪声B、散粒噪声C、产生复合噪声D、1/f噪声E、温度噪声2、下列选项中的参数与接收器有关的有()(答案:A,D)A、曝光量D、照度判断题(每题6分,共7题)1、可以引起光电效应的光吸收包括本征吸收,杂质吸收,激子吸收,自由载流子吸收和晶格吸收。(答案:n)2、探测率是一个反映探测器探测能力的物理量,探测率越大,说明探测器的探测能力越强。(答案:y)3、辐射通量与光通量的单位是相同的。(答案:n)4、外光电效应是半导体光电器件、真空光电倍增管、摄像管、变像管和像增强器的核心技术。(答案:n)5、噪声等效功率是信噪比为1时,入射到探测器上的信号辐射通量。(答案:y)6、发光强度的单位是坎德拉(cd),其定义为:在给定方向上能发射540THz的单色辐射源,在此方向上的辐强度为(1/683)W/sr,其发光强度定义为1cd。(答案:y)7、朗伯辐射体的辐射出射度等于他的辐射亮度。(答案:n)1、设某光敏电阻在100lx光照下的阻值为2000欧姆,且已知它在90~120lx范围内的光电转换因子0.9。则该光敏电阻在110lx光照下的阻值为()。(答案:C)C、1873.8欧姆2、常温碲化铟光电导器件的光谱响应范围为()(答案:C)C、1~7.5um3、硫化镉光电导器件的光谱响应范围为()(答案:B)B、400~700nm4、常温硫化铅光电导器件的光谱响应范围为()(答案:D)D、0.4~3um5、假设某只CdS光敏电阻的最大功耗是30mW,光电导灵敏度Sg=0.5uS/lx,暗电导g0=0。当CdS光敏电阻上的偏置电压为20V是的极限照度为()。(答案:D)D、150lx和22500lx6、光电导探测器的特性受工作温度影响()。(答案:B)B、很大多项选择题(每题5分,共9题。少选视正确答案多少酹情给分,多选不得分)1、光电导器件的噪声主要有()(答案:A,B,C)A、热噪声B、1/f噪声C、产生与复合噪声D、散粒噪声判断题(每题5分,共9题)1、由于电子的迁移率比空穴大,因此通常用P型材料制成光电导器件。(答案:n)2、材料确定后,光敏电阻的光照指数是一个常数。(答案:n)3、光敏电阻光谱特性的峰值波长,低温时向短波方向移动。(答案:n)4、弱辐射情况下,本征光电导与入射辐射通量成正比。(答案:y)5、前历效应是指光电导探测器的时间特性与工作前历史有关的一种现象。(答案:y)6、光敏电阻在恒压偏置电路比恒流偏置电路的电压灵敏度要高一些。(答案:n)7、光敏电阻光敏面做成蛇形状,有利于提高灵敏度。(答案:y)8、当光电导器件接收交变调制光时,随调制光频率的增加,其输出会减小。(答案:y)9、在测量某光电导器件光电转换因子的值时,背景光照越强,其光电转换因子值越小。(答案:y)(以上都是第一章的内容)1、光电导的单位()(答案:B)B、西门子2、光电导探测器的特性受工作温度影响()。(答案:B)B、很大3、设某光敏电阻在100lx光照下的阻值为2000欧姆,且已知它在90~120lx范围内的光电转换因子0.9。则该光敏电阻在110lx光照下的阻值为()。(答案:C)C、1873.8欧姆4、氮化镓光电导器件的光谱响应范围为()(答案:A)A、200~365nm5、假设某只CdS光敏电阻的最大功耗是30mW,光电导灵敏度Sg=0.5uS/lx,暗电导g0=0。当CdS光敏电阻上的偏置电压为20V是的极限照度为()。(答案:D)D、150lx和22500lx6、常温碲化铟光电导器件的光谱响应范围为()(答案:C)C、1~7.5um多项选择题(每题5分,共9题。少选视正确答案多少酹情给分,多选不得分)1、下列光电导器件中那些属于本证光电导器件()(答案:B,C,D,E)B、硫化镉C、硫化铅D、锑化汞E、碲鎘汞判断题(每题5分,共9题)1、光电导器件的时间响应都较小,适合于探测窄脉冲光信号。(答案:n)2、在测量某光电导器件光电转换因子的值时,背景光照越强,其光电转换因子值越小。(答案:y)3、前历效应是指光电导探测器的时间特性与工作前历史有关的一种现象。(答案:y)4、光敏电阻的前例效应是由于被光照过后所产生的光生电子与空穴的复合而需要很长的时间,而且,随着复合的进行,光生电子与空穴的浓度与复合机率不断减小,使得光敏电阻恢复被照前的阻值需要很(答案:n)长时间这一特性的描述。5、光敏电阻光敏面做成蛇形状,有利于提高灵敏度。(答案:y)6、弱辐射情况下,本征光电导与入射辐射通量成正比。(答案:y)7、光敏电阻光谱特性的峰值波长,低温时向短波方向移动。(答案:n)8、光敏电阻的阻值与环境温度有关,温度升高光敏电阻的阻值也随之升高。(答案:y)9、光敏电阻在恒压偏置电路比恒流偏置电路的电压灵敏度要高一些。(答案:n)(以上是第三章)1、光伏器件的自偏置电路主要用于()器件(答案:B)B、光电池2、硅光电池在()情况下有最大的电流输出。(答案:B)B、自偏置3、为了提高光电二极管短波段波长的光谱响应,下面可以采取的措施是()。(答案:D)D、减薄PN节厚度4、下列光电器件中可以精确测量位置的是()(答案:C)C、PSD5、用光电法测量某高速转轴(15000r/min)的转速时,最好选用()为光电接收器件。(答案:D)D、3DU型光电三极管6、硅光电池在()偏置时,其光电流与入射辐射通量有良好的线性关系,且动态范围较大。(答案:D)D、反向偏置7、硅光电三极管偏置电压为零,现在逐渐增强其光照度,则此时光电三极管集电极电流的变化为()。(答案:D)D、电流大小始终为零8、硅光电池的受光面的输出多做成梳齿状或E字形电极,其目的是()。(答案:B)B、减小内电阻9、若要检测脉宽为0.1uS的光脉冲,应选用()为光电变换器件。(答案:A)A、PIN型光电二极管多项选择题(每题5分,共9题。少选视正确答案多少酹情给分,多选不得分)1、光伏器件的噪声主要有()(答案:A,D)A、热噪声D、散粒噪声2、光伏探测器的光电特性主要与()有关(答案:A,B,C,D)A、材料B、光照范围C、负载大小D、外加电压判断题(每题5分,共9题)1、光电池的主要用途为太阳能光电池和测量光电池。(答案:y)2、雪崩光电二极管的最佳工作点在接近雪崩击穿点附近。(答案:y)3、PSD是利用位置离子注入技术制成的一种对入射到光敏面上的光点位置敏感的光电器件。(答案:y)4、光电池通常工作在自偏置状态,用作弱光信号的线性测量或强光信号的存在探测。(答案:y)5、硅光电池需要加偏压才能把光能转换成电能。(答案:n)6、用双结光电二极管作颜色测量时,可以测出其中两个硅光电二极管的短路电流比的对数值与入射光波长的关系。(答案:y)7、自偏压是指光伏探测器的输出电流流过外电路负载电阻产生的压降就是他自身的正向偏压。(答案:y)8、光伏器件外加反向偏压时,暗电流随反向偏压的增加有所增大,最后趋近于反向饱和电流.(答案:y)9、光伏效应对光的吸收主要为非本征吸收。(答案:n)1、用光电法测量某高速转轴的转速时,最好选用()为光电接收器件。(答案:D)D、3DU型光电三极管2、若要检测脉宽为0.1uS的光脉冲,应选用()为光电变换器件。(答案:A)A、PIN型光电二极管3、光伏器件的自偏置电路主要用于()器件(答案:B)B、光电池4、通常光伏探测器的漂移时间为()(答案:C)C、0.01nS5、下列光电器件中可以精确测量位置的是()(答案:C)C、PSD6、硅光电池在()偏置时,其光电流与入射辐射通量有良好的线性关系,且动态范围较大。(答案:D)D、反向偏置7、硅光电三极管偏置电压为零,现在逐渐增强其光照度,则此时光电三极管集电极电流的变化为()。(答案:D)D、电流大小始终为零8、硅光电池的受光面的输出多做成梳齿状或E字形电极,其目的是()。(答案:B)B、减小内电阻9、若要检测脉宽为0.1uS的光脉冲,应选用()为光电变换器件。(答案:A)A、PIN型光电二极管多项选择题(每题5分,共9题。少选视正确答案多少酹情给分,多选不得分)1、光伏探测器在正常使用时,常用的偏置方式有()(答案:A,B,C)A、自偏置B、零偏置C、反向偏置2、光伏探测器的光电特性主要与()有关(答案:A,B,C,D)A、材料B、光照范围C、负载大小D、外加电压判断题(每题5分,共9题)1、PSD是利用位置离子注入技术制成的一种对入射到光敏面上的光点位置敏感的光电器件。(答案:y)2、光电池通常工作在自偏置状态,用作弱光信号的线性测量或强光信号的存在探测。(答案:y)3、光伏效应对光的吸收主要为非本征吸收。(答案:n)4、自偏压是指光伏探测器的输出电流流过外电路负载电阻产生的压降就是他自身的正向偏压。(答案:y)5、用双结光电二极管作颜色测量时,可以测出其中两个硅光电二极管的短路电流比的对数值与入射光波长的关系。(答案:y)6、光伏器件外加反向偏压时,暗电流随反向偏压的增加有所增大,最后趋近于反向饱和电流.(答案:y)7、硅光电池需要加偏压才能把光能转换成电能。(答案:n)8、雪崩光电二极管的最佳工作点在接近雪崩击穿点附近。(答案:y)9、光电池的主要用途为太阳能光电池和测量光电池。(答案:y)(以上是第四章)1、在较强辐射作用下倍增管灵敏度下降的现象称为()。(答案:D)D、疲劳2、在光电倍增管中,吸收光子能量发射光电子的部件是()。(答案:B)B、光电阴极3、光电子发射探测器是基于()的光电探测器。(答案:B)B、外光电效应4、已知某光电倍增关的阳极灵敏度为100A/lm,阴极灵敏度为2μA/lm,要求阳极输出电流限制在100μA范围内,则允许的最大入射光通量为()。(答案:A)A、1ulm多项选择题(每题6分,共6题。少选视正确答案多少酹情给分,多选不得分)1、光电倍增管的时间特性主要有()参数(答案:A,B,C)A、响应时间B、渡越时间C、渡越时间分散2、下列选项中,符合光电倍增管电子光学系统作用的选项有()。(答案:A,B)A、将光电阴极发射的光电子尽可能多的汇聚到第一倍增级B、使光电阴极发射的光电子到达第一倍增级的渡越时间零散最小3、光电倍增管的短波限和长波限的决定因素有()(答案:B,C)A、光电阳极材料B、光电阴极材料C、窗口材料D、倍增级材料4、下面选项中属于光电倍增管产生暗电流的原因有()。(答案:A,B,C,D)A、欧姆漏电B、热发射C、残余气体放电D、场致发射5、常规光电阴极材料有()(答案:A,B,C,D)A、银氧铯B、单碱锑化物C、多碱锑化物D、碲化铯判断题(每题6分,共6题)1、光电倍增极在使用过程中队入射光没有特殊要求。(答案:n)2、光电倍增管的倍增极通常是大于12.(答案:n)3、光电倍增管的电流增益通常不超过10的7次放量级。(答案:n)4、测量阳极灵敏度时,入射到阴极上的光通量大约在10-5~10-2lm。(答案:n)5、光电倍增管增益定义为阳极电流与阴极电
本文标题:《光电技术》测试题及参考答案
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