模拟电子技术综合复习题(有答案)

1《模拟电子技术》复习题综合（第1、2章）一、选择题1、在本征半导体中掺入微量的D价元素，形成N型半导体。A.二B.三C.四D.五2、在N型半导体中掺入浓度更大的C价元素，变成为P型半导体。A.二B.三C.四D.五3、在本征半导体中，自由电子浓度B空穴浓度。A.大于B.等于C.小于4、在P型半导体中，自由电子浓度C空穴浓度。A.大于B.等于C.小于5、本征半导体温度升高以后，C。A.自由电子增多，空穴数基本不变B.空穴数增多，自由电子数基本不变C.自由电子数和空穴数都增多，且数目相同D.自由电子数和空穴数都不变6、空间电荷区是由C构成的。A.电子B.空穴C.离子D.分子7、PN结加正向电压时，空间电荷区将A。A.变窄B.基本不变C.变宽D.无法确定8、设二极管的端电压为U，则二极管的电流方程是C。A.ISeUB.TUUIeSC.)1e(S－TUUID.IS9、稳压管的稳压区是其工作在C。A.正向导通B.反向截止C.反向击穿10、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为B。A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏D.前者反偏、后者正偏11、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将A。A.增大B.不变C.减小D.都有可能12、工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为C。A.83B.91C.100D.1013、当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将A。A.增大B.不变C.减小D.都有可能14、晶体管是A器件。A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电压D.电压控制电流15、实践中，判别晶体管是否饱和，最简单的方法是测量D。A.IBB.ICC.UBED.UCE16、在正常放大的电路中，测得晶体管三个电极的对地电位如图所示，试判断管子的类型和材料。图1为D；图2为A。[基极电位总是处于中间]A.NPN硅管B.PNP硅管C.NPN锗管D.PNP锗管17、增强型PMOS管工作在放大状态时，其栅源电压B，耗尽型PMOS管工作在放大状态时，其栅源电压D。①6V②0V③5.7V图1①3V②9V③2.3V图22A.只能为正B.只能为负C.可正可负D.可正可负，也可为零18、在放大电路中，场效应管工作在漏极特性的C。A.可变电阻（欧姆）区B.截止区C.饱和区D.击穿区19、表征场效应管放大能力的重要参数是B。A.夹断电压UGS(off)B.低频跨导gmC.饱和漏极电流IDSSD.开启电压UGS(th)20、场效应管是D器件。A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电压D.电压控制电流21、基本共射放大电路中，基极电阻Rb的作用是A。A.限制基极电流，使晶体管工作在放大区，并防止输入信号短路B.把基极电流的变化转化为输入电压的变化C.保护信号源D.防止输出电压被短路22、基本共射放大电路中，集电极电阻Rc的作用是B。A.限制集电极电流的大小B.将输出电流的变化量转化为输出电压的变化量C.防止信号源被短路D.保护直流电压源EC23、基本共射放大电路中，如果使用直流电压表测出UCE≈0，可能是因为A。A.Rb短路B.Rb开路C.Rc短路D.β过小24、基本共射放大电路中，输入正弦信号，现用示波器观察输出电压uo和晶体管集电极电压uc的波形，二者相位A。A.相同B.相反C.相差90°D.相差270°25、NPN管基本共射放大电路输出电压出现了非线性失真，通过减小Rb失真消除，这种失真一定是B失真。A.饱和B.截止C.双向D.相位26、分压式偏置工作点稳定电路，当β＝50时，IB=20μA，IC=1mA。若只更换β＝100的晶体管，而其他参数不变，则IB和IC分别是A。A.10μA，1mAB.20μA，2mAC.30μA，3mAD.40μA，4mA27、有两个空载放大倍数相同，输入和输出电阻不同的放大器甲和乙，对同一信号源进行放大，在负载开路的情况下，测得甲的输出电压小，这说明甲的B。A.输入电阻大B.输入电阻小C.输出电阻大D.输出电阻小28、放大电路产生零点漂移的主要原因是A。A.环境温度变化引起参数变化B.放大倍数太大C.采用了直接耦合方式D.外界存在干扰源29、要求组成的多级放大电路体积最小，应选B耦合方式。A.阻容B.直接C.变压器D.阻容或变压器30、放大电路的三种组态（C）。A.都有电压放大作用B.都有电流放大作用C.都有功率放大作用D.都不是一个放大器由两级相同的放大器组成，已知它们的增益分别为30dB和40dB，则放大器的总增益为（C）。A.30dBB.40dBC.70dBD.1200dB31.多级放大器与单级放大器相比，电压增益将（A）。A.提高B.降低C.不变D.不确定3二、填空1、PN结中扩散电流的方向是：从P区到N区，漂移电流的方向是从N区到P区。2、PN结的最大特点是单向导电性。3、使PN结正偏的方法是：将P区接高电位，N区接低电位。4、PN结正偏时，有利于多数载流子的运动，阻碍少数载流子的运行。5、PN结反偏时，内电场与外电场的方向相同，空间电荷区变宽，有利于少数载流子的漂移运动，阻碍多数载流子的扩散运动，此时PN结呈现的电阻大，PN结处于截止状态。6、温度增加PN结呈现的电阻将会变小。7、P型半导体中的多数载流子是空穴，N型半导体中的多数载流子是电子。以上为第一章习题8、从基极输入，从集电极输出的是共射极电路，从基极输入，从发射极输出的是共集电极电路。9、从栅极输入，从漏输出的是共源极电路；从栅极输入，从源极输出的是共漏极电路。10、共集电极放大电路的电压放大倍数不可能大于1，共基极放大电路的电流放大倍数不可能大于111、某多级放大器中各级电压增益为：第一级25dB、第二级30dB、第三级－15dB、第四级60dB，放大器的总增益为100，总的放大倍数为10。12、当电压放大倍数下降为最大电压放大倍数Avo的0.707时，所对应的两个频率分别称为上限频率和下限频率，它们之间的频率范围，称为放大电路的通频带，它是放大电路频率特性的一个重要质量指标。13、多级电压放大器级间耦合方式有直接耦合、变压器耦合和阻容耦合三种。三、判断题1、漂移运动是少数载流子运动而形成的。（√）2、PN结正向电流的大小由温度决定的。（×）3、PN结内的扩散电流是载流子的电场力作用下形成的。（×）4、在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（√）5、因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（×）6、PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（√）7、处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。（×）8、结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点。（√）9、若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。（×）以上为第一章习题10、只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用；（×）11、可以说任何放大电路都有功率放大作用；（√）12、放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的；（×）13、电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的；（×）14、放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作；（√）15、由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化；（×）16、只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。（×）17、某两级放大器中各级电压增益为：第一级2dB、第二级3dB，放大器的总增益为6dB。（×）四、分析题1、已知稳压管的稳定电压UZ＝6V，稳定电流的最小值IZmin＝5mA，最大功耗PZM＝150mW。试求左图所示电路中电阻R的取值范围。解：稳压管的最大稳定电流4IZM＝PZM/UZ＝25mA电阻R的电流为IZM～IZmin，所以其取值范围为k8.136.0ZZI～IUUR2、下图示电路中，已知输入R1=1kΩ，RL=3kΩ，UI=12V，UZ=6V，IZ=5mA，PZM=90mW，问输出电压UO能否等于6V？解：稳压管正常稳压时，工作电流IDZ应满足IZ＜IDZ＜IZM，而mAVmWUPIZZMZM15690即5mA＜IDZ＜15mA设电路中DZ能正常稳压，则UO=UZ=6V。可求得：mARURUUIIILZZILRDZ4显然，IDZ不在稳压工作电流范围内。以上为第一章习题3、测得工作在放大电路中三极管1、2、3脚的电位分别是3.5V，2.8V，7.8V。试判断它是NPN型还是PNP型，是硅管还是锗管，并在图上分别标出e、b、c。4、管子对地电位如图所示。判断管子的工作状态和材料。解：（A）NPN型管。UBE=0.1-(-0.2)=0.3V，JE正偏，UBC＝0.1-6＝-5.9V，JC反偏。故该管工作在放大状态，为锗管。（B）PNP型管。UEB=1-0.3=0.7V，JE正偏，UCB＝-2-0.3＝-2.3V，JC反偏。故该管工作在放大状态，为硅管。（C）NPN型管。UBE=-3-(-2)=-1V，JE反偏，UBC＝-3-0＝-3V，JC反偏。(A)+0.1V＋6V-0.2V-3V(C)-2V0V+0.3V-2V+1V(B)+5.5V+6V+5.3V(D)(E)+4V＋4V+4V5故该管工作在截止状态。（D）PNP型管。UEB=6-5.3=0.7V，JE正偏，UCB＝5.5-5.3＝0.2V，JC正偏。故该管工作在饱和状态，为硅管。（E）NPN型管。UBE=4-4=0V，UBC＝4-4＝0V。则该管可能被击穿损坏，也可能电路接线问题。5、判断以下两工作电路处于何种状态图（a）没有放大作用。VBB对信号有短接作用；UBE过大，JE可能烧毁。在VBB中串接电阻RB。图（b）没有放大作用。放大元件T没有合适的偏置状态。RB接点移至到C1后。五、计算题(都为第二章习题)1、在右图所示电路中，已知RB1=5kΩ,RB1=20kΩ,RE=2.3kΩ,RC=RL=10kΩ,VCC=15V,β=80,rbb′＝100Ω，UBEQ=0.7V。试求解：（1）估算静态工作点Q；（2）估算电压放大倍数Au、输入电阻Ri和输出电阻Ro。（3）若将晶体管换成β为100的管子，Q点将如何变化？（4）若CE开路，则Au与Ri将如何变化。解（1）求解Q点。因为RB1＜＜(1+β)RE，所以AmAIImARUUIVVRRRUEQBQEBEQBQEQCCBBBBQ5120125080111327033152055211....VRRIVUECEQCCCEQ723210115.).()(（2）求解Au、Ri和Ro。画出微变等效电路61822221080./beLurRAk..///////42122120151121beBBirRRRkΩ10CoRR（3）当β由80变为100时，ICQ与UCEQ基本不变，而AA.1001010011001mIIEQBQ（4）CE开路，那么电路的微变等效电路如图[P79T2.3.4]所示。17232801222108011..)(./)()(EbeLEbbeLbuRrRRirRiAk.)../(//])(//[//9233280221201511121EbeBBiRrRRRkΩ10CoRR2、如右图所示电路中，已知VCC=15V,RB=750kΩ,RC=RL=5.1kΩ,β=80,rbb′＝100Ω。试求解：（1）静态工作点Q；（2）RL接入和断开两种情况下的Au。（3）输入电阻Ri和输出电阻Ro。（4）若信号源有内阻，且RS=1.42kΩ，则负载时的Aus＝？解：（1）利用估算法求Qk.)mA()mV()()()mA()mV()(222200126801100261EbbbeIrr7AmAmARVRUVIBCCBBEQCCBQ200207