晶向

Q1:100,111等晶向的区别?A:1)100和111的面間距有差異，所以單晶生長的時候，100長的快（解理面），111最慢。長晶棒時的拉速也是不一樣的，運用的時候也是按照堆積密度的不同使用的，我的理解2)好像在100晶向电子的迁移率最大，如果做MEMS的话，有一些溶液具有腐蚀的各向异性，可以腐蚀出比较很多有意思的立体图形。3)（100）晶向表面硅原子最少，悬浮键最少，所以相对而言，产生的不希望的反应和缺陷少些，适合较高要求产品。4)100的晶格缺陷是四方形的，111的是三角形或菱形的。5)100一般用来做MOS，111一般用来做双极，原因是100的界面态比111低。低的界面态使得MOS的阈值电压稳定.Q2:请问不同产品对硅衬底晶向的要求是为什么？1)这好像是个很大的问题，比如COMS要求的就是100晶向的，BICOMS又要求的是111晶向的，为什么会有这些不同的要求？还有，后端器件制造过程中又要求晶向有一定的偏角，比如100偏4度，这个偏角又是为了什么呢？？谢谢，哪位晓得？不胜感激!2)CMOS是对界面态非常的敏感，而100晶向的表面态密度最低，所以cmos用100硅片；3)在111晶向上要求偏角3~4度，是做外延需求，减小外延畸变和漂移。100好像没见过要求有一定偏角的。MOS器件用100晶向是因为该晶向上界面态密度最小。器件特性与工艺决定晶向1.111面有一组面间距最大而共价键密度又最低，此面作用力最低，所以111面最容易解离--适合于大批量低成本低品质要求的双极器件，比如各种整流二极管，肖特基二极管等0l2C8E)}(j(Q,i2.由于111面的腐蚀速度最慢（工艺易于控制），并且在湿法腐蚀中可以自然的形成半椭圆凹形沟道，在双极器件的腐蚀中可以比较低成本的进行操作3.氧化工艺后111面的界面缺陷比较多，对mos器件的各项电压-电流特性影响很明显，而对于一些双极器件的影响不是很大，原因还是目前大多数的双极器件的品质要求没有很严格应该还有很多因素在影响晶面的选取，本人对mos器件与工艺不是很清楚，对某些双极器件的工艺稍有了解但是总的方向应该是mos器件的晶面选取100是高品质要求的结果，而大多数双极器件选取111晶面是在低品质要求低成本高产量的方向下决定的4)100面的界面态密度最低，可用于MOSFET；111面虽然缺陷最高，但是原子密度最高，也更容易生长，适合bipolar5)原子密度最高,111最高，其次110，100最低6)面陷阱密度,111面最高,其次110，（100）面小7)界面态密度,100的界面态密度最低8)表面迁移率最高,100的表面迁移率最高