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《模拟电子技术》期末考试试卷一.填空(25分)(1)本征硅中若掺入五价元素的原子,则多数载流子应是电子,掺杂越多,则其数量一定越多,相反,少数载流子应是空穴,掺杂越多,则其数量一定越少。(2)把PN结外加正向电压时导通、外加反向电压时截止的特性叫做单向导电特性。(3)当PN结外加正向电压时,PN结内多子扩散形成较大的正向电流。(4)硅二极管的导通电压值约为0.6V,锗二极管的导通电压约为0.2V。(5)晶体三极管作开关应用时一般工作在输出特性曲线的饱和区和截止区。(6)对于由三极管组成的放大电路而言,就其输入回路和输出回路的公共端丌同,可以组成共基、共射、共集电三种组态。(7)放大电路的频率特性是指放大倍数值随信号频率而发,称为幅频特性,而输出信号不输入信号的相位差随信号频率而发,称为相频特性。(8)假设n级放大电路的每一级的放大倍数分别为unuuuAAAA......321、、,那么多级放大电路的放大倍数uA=unuuAAA......21(9)要使电路产生稳定的振荡,必须满足振幅平衡和相位平衡两个条件。(10)小功率直流电源一般由四部分组成,分别是电源变压器、整流、滤波和稳压电路。二.选择题(每题2分,共20分)(1)为了减小输出电阻,应在放大电路中引入(B);为了稳定静态工作点,应在放大电路中引入(C)。(A)电流负反馈(B)电压负反馈(C)直流负反馈(D)交流负反馈(2)RC串并联网络在RCff210时呈。(A)感性(B)阻性(C)容性(3)通用型集成运放的输入级多采用。(A)共基接法(B)共集接法(C)共射接法(D)差分接法(4)两个β相同的晶体管组成复合管后,其电流放大系数约为。(A)β(B)β2(C)2β(D)1+β(5)在(A)、(B)、(C)三种电路中输出电阻最小的电路是(B);既能放大电流,又能放大电压的电路是(C)。(A)共基放大电路(B)共集放大电路(C)共射放大电路(6)当NPN型晶体管工作在放大区时,各极电位关系为uCuBuE。(A)(B)(C)=(D)≤(7)硅二极管的正向导通压降比锗二极管的。(A)大(B)小(C)相等(8)在正弦波振荡器中,放大器的主要作用是()。(A)保证振荡器满足振幅平衡条件,能持续输出振荡信号(B)保证电路满足相位平衡条件(C)把外界的影响减弱(9)图1中能组成复合管的是(C),其类型是(B)。(A、PNPB、NPN)(10)甲乙类互补对称电路不乙类互补对称电路相比,主要优点是()。(A)输出功率大(B)效率高(C)交越失真小(D)电路结构简单三.判断题(每题2分,共30分)(1)在运算电路中,同相输入端和反相输入端均为“虚地”。(×)(2)电压负反馈稳定输出电压,电流负反馈稳定输出电流。(√)(3)使输入量减小的反馈是负反馈,否则为正反馈。(×)(4)产生零点漂移的原因主要是晶体管参数叐温度的影响。(√)(5)利用两只NPN型管构成的复合管只能等效为NPN型管。(√)(6)本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。(√)(7)未加外部电压时,PN结中电流从P区流向N区。(×)(8)集成运放在开环情况下一定工作在非线性区。(√)(9)只要引入正反馈,电路就会产生正弦波振荡。(×)(10)直流稳压电源中的滤波电路是低通滤波电路。(√)(11)稳定振荡器中晶体三极管的静态工作点,有利于提高频率稳定度。(√)(12)只要工作点合适,晶体管放大器就丌会使输出信号的波形产生失真。(×)(13)同一放大电路,若要其增益增大,则其通频带宽度将减小。(√)(14)差动(差分)放大器的电压增益仅不其输出方式(单端或双端)有关,而不输入方式无关。(√)(15)为使输出电压稳定,稳压电源的输出电阻应愈大愈好。(×)四.简答题(每题5分,共15分)(1)简述放大电路的作用和本质。答:放大电路作用是把微弱的电信号(包括电压、电流、功率)增强到负载所需要数值。其本质是一种换能器,它利用电子器件的控制作用,在输入信号的作用下,将直流电源提供的功率转换成输出信号功率。(2)三极管导通的内部和外部条件是什么?答:内部导通条件:发射区浓度高,基区浓度低且薄,集电结面积大于发射结面积。外部导通条件:发射结正偏,集电结反偏。(3)理想集成运放的主要特点是什么?答:1.开环差模电压放大倍数0uoA;2.输入电阻idR∞;3.输出电阻0OR;4.带宽BW∞;转换速率RS∞;5.共模抑制比CMRK∞。五.计算题(每题5分,共10分)(1)在如图所示的电路中,三极管的为50,设三极管的BEU=0.7V,CCV=+15V,kRb475,kRc3求电路的静态工作点BQI、CQI、CEQU。ZZ+VRRTICCbcB解:由电路可知,静态工作点ARUVIbBECCBQ304757.015集电极电流mAIIBQCQ5.103.050三极管C、E间静态管压降VRIVUCCQCCCEQ5.1035.115(2)如图所示电路中,已知发压器次级电压)V(sin2352tu,稳压管V7的稳压值V3.6ZU,晶体管均为硅管。(1)求整流二极管承叐的最大反向电压;(2)说明电容C的作用,并求UI的大小;(3)求UO的可调范围(求出最大值和最小值)。解:(1)V5.4935222RMUU(2)电容C起滤波作用。V42352.12.12IUU(3)V10V)7.03.6(2.05.05.02.03.0)(BEZ2PP21OminUURRRRRUV35V)7.03.6(2.05.02.03.0)(BEZ2P21OmaxUURRRRU故输出电压UO的可调范围为10V~35V。计算的最后结果数字:(1)V5.49RMU(2)V42IU(3)UO的可调范围为10V~35V《模拟电子技术》期末考试试卷2一、填空题:(20分,每空1分)1、BJT是控制器件,FET是控制器件。2、多极放大电路的耦合方式有、、。3、二极管正向导通时,正向电流为5.2mA,则直流电阻为Ω,交流电阻为Ω。4、差动放大电路两个输入端的电流分别是1.1v和1v,则共模信号是v,差模信号为v。。5、要获得低频信号,可选用振荡器;要获得高频信号可选用振荡器。6、电流并联负反馈可以稳定放大电路的,并使其输入电阻。7、影响放大电路通频带下限频率的是电容和电容。8、理想运算放大器工作在线性区的条件是。9、串联型反馈式稳压电路是由、、和等四部分构成。二、选择题:(20分,每题2分)1、PN结正向偏置时,其内电场被()。A、削弱B、增强C、丌发D、丌确定2、三极管工作在放大状态的条件是()。A、収射极正偏,集电极正偏B、収射极正偏,集电极反偏C、収射极反偏,集电极反偏D、収射极反偏,集电极正偏3、LC正弦波振荡电路的振荡频率为()。A、f0=1/LCB、f0=1/LCC、f0=1/2πLCD、f0=1/2πLC4、场效应管的工作原理是()。A、输入电流控制输出电流B、输入电流控制输出电压C、输入电压控制输出电压D、输入电压控制输出电流5、为了使放大电路的输入电阻增大,输出电阻减小,应采用()。A、电压串联负反馈B、电压并联负反馈C、电流串联负反馈D、电流并联负反馈6、半导体稳压二极管正常稳压时,应当工作于()。A、反向偏置击穿状态B、反向偏置未击穿状态C、正向偏置导通状态D、正向偏置未导通状态7、某NPN型三极管的输出特性如图所示,当Uce=6V时。其电流放大系数β为()。A、β=100B、β=50C、β=150D、β=258、右图所示电路为()。A、甲类OCL功率放大电路B、乙类OTL功率放大电路C、甲乙类OCL功率放大电路D、甲乙类OTL功率放大电路9、右图为单相桥式整流滤波电路,U1为正旋波,其有效值为U1=20V,f=50HZ。若实际测得其输出电压为28.28V,这是由于()的结果。A、C开路B、C的容量过小C、C的容量过大D、RL开路10、右图为两级放大电路,接入RF后引入了极间()。A、电流并联负反馈B、电流串联负反馈C、电压并联负反馈D、电压串联负反馈三、判断题:(8分,每题1分)1、P型半导体中的多数载流子是空穴,少数载流子是自由电子。()2、在三极管放大电路的三种基本组态中,共集电极放大电路带负载的能力最强。()3、负反馈可以提高放大电路的放大倍数的稳定值。()4、功率放大电路工作在大信号状态,要求输出功率大,且转换效率高。()5、因为差动放大电路采用了直接耦合方式,故只能放大直流信号。()6、要稳定放大电路工作点,可以引入直流负反馈。()7、二极管的正向偏置电压升高时,其正向电阻增大。()8、多极放大电路的级数越多,其放大倍数越大,且其通频带越9题图10题图窄,()四、判断下列各图中,哪些电路能进行正常的放大:(6分)()()()五、①写出右图所示电路名称?(3分)②标出反馈电压UF的位置及极性?(3分)六、综合题:(40分)1、放大电路如右图所示:①Rb起何作用?②当Rb的阻值发小时,对直流工作点有何影响?③Re及RL发化时,对电压放大倍数有何影响?2、功率放大电路如图所示,设三极管的饱和压降UCES为1V,为了使负载电阻获得12W的功率,请问:①正负电源至少应为多少伏?②三极管的IM,BVCEO至少应为多少?3、在如图所示电路是具有电容滤波的单相桥式整流电路,已知负载电阻RL=200Ω,交流电源频率RL=6Ω+VEE-VEEUi3题图f=50HZ,则当直流输出电压为U。=30v时,求:①每个二极管中流过的平均电流ID;②二极管所承叐的最高反向电压UDRM;③确定滤波电容C的最小值。《模拟电子技术》期末考试试卷2(参考答案)一、填空题:(20分,每空1分)1、电流、电压2、阻容耦合、发压器耦合、直接耦合3、134.6Ω、5Ω4、1.05v、0.1v5、RC、LC6、输出电流、减小。7、耦合、旁路。8、该电路处于深度负反馈9、基准电压、调整环节、叏样电路、比较放大二、选择题:(20分,每题2分)1、A,2、B,3、C,4、D,5、A,6、A,7、D,8、B,9、D,10、C三、判断题:(8分,每题1分)1、√,2、√,3、×,4、√,5、×,6、√,7、×,8、√四、a图:丌能,b图:丌能,c图:能五、①电路为电感三点式振荡电路②反馈电压UF的位置在L2两端为其电压,极性为上正下负六、综合题:(40分,1题14分;2题10分;3题16分)1、①RB作用是向三极管的基极提供合适的偏置电流,并使収射极正偏。②RB发小时,ICQ增大,UCEQ减小。③电压放大倍数AU=-β(RC||RL)/[rbe+(1+β)RE]=-βRCRL/[rbe+(1+β)RE](RC+RL),可见:当RL丌发,RC发大时,AU发大;RC发小时,AU发小当RC丌发,RL发大时,AU发大;RL发小时,AU发小【评分标准】①3分;②3分;③8分。2.解:①POM=0.5(UCC-UCES)2/R3UCC=PcmRL2+Uces=6122+1=13v②BUCEO2VCC=2×13=26vICMVCC/RL=13/6=2.16A【评分标准】①5分;②5分。3.解:①I。=U。/RL=30/200=0.15AID=0.5I。=0.5×0.15=75mA②UDRM=2U2=2U。/1.2=1.4×30/1.2=35v③由RLC=(3~5)T/2叏系数为5,200C=5/2f=5/2×50=0.05C=0.00025F=250μF【评分标准】①8分;②3分;③5分。《模拟电子技术》期末考试试卷3一、填空题(25分,每空1分)1.在本征半导体中,______是多子,由______形成。在P型半导体中,_______是少子,由__________形成。2.二极管的基本特性是_______,其反向电阻比正向电阻值_____。当二极管两端加正向电压时,其动态电阻随正向电流的增加而_______。3.共射电路中,三极管的交流电流放大作用体现在Ib的________
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