Mosfet和IGBT简介资料

增强型耗尽型N沟道P沟道N沟道P沟道MOSFET绝缘栅型(IGFET)MOSFET是一种电压控制电流的开关器件，它有很多优点：耗能小、速度快、重量轻、寿命长等。绝缘栅型场效应管1.mosfet的符号（以N沟增强型为例）：G：栅极D：漏极S：源极符号：Mosfet的输出特性曲线Mosfet的转移特性曲线：东芝SSM6J08FU小信号MOSFET的详细描述：部件型号SSM6J08FU极性P沟漏源电压VDS-20V漏极电流ID-1.3A门阈值电压Vth,max-1.1V门阈值电压Vth,min-0.6V门-源电压VGSS(V)±12V漏源导通电阻RDS(ON)(标准)0.2ΩVGS=-2.5V漏源导通电阻RDS(ON)(最大)0.26ΩVGS=-2.5V产品分类小信号MOSFET东芝公司MOSFET的图片：•品牌:SINO-IC•（上海光宇睿芯微电子有限公司）•型号:1N60•种类:绝缘栅(MOSFET)•沟道类型:N沟道•导电方式:增强型•用途:TV/电视•封装外形:CER-DIP/陶瓷直插•材料:N-FET硅N沟道•开启电压:600（V）•最大漏极电流:800（mA）•最大耗散功率:800（mW）IGBT(绝缘栅双极型晶体管)的介绍：IGBT是有BJT和mosfet组成的复合器件，兼具二者的优点：速度快，能耗低，体积小，而且大功率、大电流、耐高压。IGBT的开关作用是通过正向栅极电压控制的，施加一定的正向电压即栅极电压大于发射极电压时，IGBT导通，反之IGBT关断。•特色标志:现货•型号:IKW40N120T2•厂家:INFINEON•批号:12+•封装:TO-247美国仙童飞兆半导体公FairchildSemiconductorFGH40N60UFTU美国国际整流器公司InternationalRectifierIRG4BC30KDPBF英飞凌公司InfineonTechnologiesIGW25N120H3MOSFET和IGBT的差别：MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极（S）、漏极（D）和栅极（G）。主要优点：热稳定性好、安全工作区大。缺点：击穿电压低，工作电流小。IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是MOSFET和GTR（功率晶管）相结合的产物。它的三个极分别是集电极(C）、发射极（E）和栅极(G）。特点：击穿电压可达1200V，集电极最大饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上，工作频率可达20kHz。总的来说：MOSFET在低功率，较高频应用中较好，1000w,100KHz。IGBT在较低频，高功率应用中较好。关于IGBT的一些产品的图片：日本富士公司的产品2MBI200S-120集电极和发射极之间最高限压是1200V、最大限流是200A.日本富士公司的EVL31-050集电极和发射极之间的限压是500V、限电流是100A。东芝公司的MG75N2YS40MOSFET和IGBT器件的适用类型：：