S8050-三极管中文资料

S8050—NPNsilicon—项目符号额定值单位集电极—基极电压VCBO40V集电极—发射极电压VCEO25V发射极—基极电压VEBO6V集电极电流IC800mA集电极耗散功率PC800mW结温TJ150℃存储温度Tstg﹣55~150℃项目符号最小值典型值最大值单位测试条件直流电流增益hFE85300VCE=1V，Ic=100mA集电极-基极截止电流ICBO0.1μAVCB=35V，IE=0发射极-基极截止电流IEBO0.1μAVEB=6V，Ic=0集电极-基极击穿电压BVCBO40VIc=0.1mA，IE=0集电极-发射极击穿电压BVCEO25VIc=2mA，IB=0发射极-基极击穿电压BVEBO6VIE=0.1mA，Ic=0基极-发射极电压VBE1VVCE=1V，Ic=10mA集电极-发射极饱和压降VCE(sat)0.5VIc=500mA，IB=50mA基极-发射极饱和压降VBE(sat)1.2VIc=500mA,IB=50mA电流增益-带宽乘积fT100MHzIc=50mA，VCE=10V共基极输出电容Cob920PFVCB=10V,IE=0,f=1MHz广东省粤晶高科股份有限公司■■主要用途：功率放大等。■■绝对最大额定值（Ta＝25℃）分档BCDhFE85～160120～200160～300■■电参数（Ta=25℃）■■hFE分档及其标志