集成电路工艺思考题

思考题1、将硅单晶棒制作成硅片包括哪些工序？2、切片可决定晶片的哪四个参数？3、硅单晶片研磨后为何要清洗？4、硅片表面吸附杂质的存在形态有哪些？对这些形态按何种顺序进行清洗？5、硅片研磨及清洗后为何要进行化学腐蚀？腐蚀方法有哪些？6、CMP包括哪2个动力学过程？控制参数有哪些？7、集成电路制造过程中常用的1号、2号、3号清洗液组成是什么？各有什么用途？8、硅气相外延工艺采用的衬底不是准确的晶向，通常偏离（100）或（111）等晶向一个小角度，为什么？9、外延层杂质的分布主要受哪几种因素影响？10、异质外延对衬底和外延层有什么要求？11、比较分子束外延(MBE)生长硅与气相外延（VPE）生长硅的优缺点12、SiO2按结构特点分为哪些类型？热氧化生长的SiO2属那一类？13、在SiO2中何谓桥键氧？何谓非桥键氧？，对SiO2密度有何影响？14、二氧化硅层的主要作用有哪些？15、二氧化硅网络中按杂质在网络中所处位置不同可分为哪几类？16、热氧化方法有哪几种？各有何优缺点？17、影响氧化速率的因素有哪些？18、影响SiO2热氧化层电性的电荷来源主要有哪些种类？这些电荷对器件有何危害？降低这些电荷浓度的措施有哪些？19、为何热氧化时要控制钠离子的含量？降低钠离子污染的措施有哪些？20、掺氯氧化工艺对提高氧化膜质量有哪些作用？21、由热氧化机理解释干、湿氧氧化速率相差很大这一现象的原因？22、薄层工艺（10nm以下氧化层）过程中应注意哪些要求？现采用的工艺有哪些？23、氧化层膜厚的测定方法有哪些？24、热氧化时常见的缺陷有哪些？产生的原因有哪些？25、什么是掺杂？26、热扩散的机制有哪些？27、扩散源有哪些存在形态？28、实际生产中为何采用二步扩散？预扩与主扩的杂质浓度分布各有何特点？29、叙述氧化增强扩散及发射区推进效应及其产生的机理？30、与预扩散相比，为什么B再扩后表面电阻变大而P再扩后表面电阻会变小？31、与热扩散相比，离子注入有哪些优点？32、什么是沟道效应？如何降低沟道效应？33、什么是离子注入损伤？损伤类型有哪些？34、离子注入掺杂后为何要进行退火？其作用是什么？35、离子注入设备的主要部件有哪些？36、离子注入工艺技术中须控制的工艺参数及设备参数有哪些？37、等离子体是如何产生的？PECVD是如何利用等离子体的？38、SiO2作为保护膜时为什么需要采用低温工艺?目前低温SiO2工艺有哪些方法?它们降低制备温度的原理是什么？39、比较同等掺杂浓度多晶硅和单晶硅电阻率的大小？解释不同的原因。40、磁控溅射主要有哪几种？特点是什么？41、如果一个工艺过程依靠对硅片的离子轰击，你会将硅片置于连接腔壁的电极上还是与腔壁隔离的电极上?42、以铝互连系统作为一种电路芯片的电连系统时，若分别采用真空蒸镀和磁控溅射工艺淀积铝膜，应分别从哪几方面来提高其台阶覆盖特性？43、什么是气缺现象？如何解决气缺现象？44、什么是光刻，光刻系统的主要指标有那些？45、IC制造中对光刻技术的基本要求有哪些？46、光刻工艺包括哪些工序？47、什么是分辨率、对比度、光敏度？48、影响显影的主要因素有哪些？49、在光刻技术中为何显影后必须进行检查？检查的内容有哪些？50、什么是正光刻胶？什么是负光刻胶？其组成是什么？光刻胶的作用是什么？51、常见的曝光光源有哪些？52、常见的光刻对准曝光设备有哪些？53、光刻工艺条件包括哪些方面？54、什么是驻波效应？如何减少驻波效应？55、影响线宽控制的因素有哪些？56、什么是湿法刻蚀？什么是干法刻蚀？各有何优缺点？57、常见的干法刻蚀方法有哪些？各有何优缺点？58、光刻技术中的常见问题有那些？59、光刻工艺对掩模版有那些质量要求？60、简述集成电路的常规掩模版制备的工艺流程。61、光学分辨率增强技术主要包括那些？62、简述表征光刻胶特性、性能和质量的参数。63、理想的刻蚀工艺应具有哪些特点？64、影响刻蚀工艺的因素有那些？65、集成电路对金属化材料特性的要求有哪些？66、金属铝膜的制备方法有哪些？67、金属在集成电路中的作用有哪些？68、什么是Al/Si接触中的尖楔现象？如何解决尖楔现象？69、什么是电迁移现象？如何提高引线的抗电迁移能力？70、什么是低K材料？71、与Al布线相比，Cu布线有何优点？72、叙述Cu布线的工艺流程？