cvd_cn

1.CVD：ChemicalVaporDeposition[在反应器内，利用化学反应将反应物(通常是气体)生成固态的生成物，并在芯片表面沉积薄膜]CVD藉反应气体间的化学反应产生所需要的薄膜，因此所沉积的薄膜，其结晶性(Crystallinity)和当量比(Stoichiometry)与材质特性相关等性质优于溅镀法。薄膜沈积依据沈积过程中，是否含有化学反应的机制，可以区分为物理气相沈积（PhysicalVaporDeposition，简称PVD）通常称为物理蒸镀及化学气相沈积（ChemicalVaporDeposition，简称CVD）通常称为化学蒸镀。2.APCVD系统的优点是具有高沈积速率，而连续式生产更是具有相当高的产出数，因此适合集成电路制程。APCVD系统的其它优点还有良好的薄膜均匀度，并且可以沈积直径较大的芯片。然而APCVD的缺点与限制则是须要快速的气流，而且气相化学反应发生。在大气压状况下，气体分子彼此碰撞机率很高，因此很容易会发生气相反应，使得所沈积的薄膜中会包含微粒。通常在集成电路制程中。APCVD只应用于成长保护钝化层。此外，粉尘也会卡在沈积室壁上，因此须要经常清洗沈积室。3.LPCVD(低压化学气相沈积)是在低于大气压状况下进行沈积。与APCVD系统相比较，LPCVD系统的主要优点在于具有优异的薄膜均匀度，以及较佳的阶梯覆盖能力，并且可以沈积大面积的芯片；而LPCVD的缺点则是沈积速率较低，而且经常使用具有毒性、腐蚀性、可燃性的气体。由于LPCVD所沈积的薄膜具有较优良的性质，因此在集成电路制程中LPCVD是用以成长磊晶薄膜及其它质量要求较高的薄膜。4.PECVD的沈积原理与一般的CVD之间并没有太大的差异。电浆中的反应物是化学活性较高的离子或自由基，而且基板表面受到离子的撞击也会使得化学活性提高。这两项因素都可促进基板表面的化学反应速率，因此PECVD在较低的温度即可沈积薄膜。在集成电路制程中，PECVD通常是用来沈积SiO2与Si3N4等介电质薄膜。PECVD的主要优点是具有较低的沈积温度；而PECVD的缺点则是产量低，容易会有微粒的污染。而且薄膜中常含有大量的氢原子。5.HDPCVD[高密度电浆(HDP):电浆密度较PECVD还高的一种电浆设计]显示以传统PECVD所沉积的薄膜，其阶梯覆盖的情况，把经PECVD沉积后的芯片，做局部的蚀刻，因干式蚀刻对尖角或是外观角度较小的结构，有较快的蚀刻速率。6.SACVD次大气压化学气相沈积法（Sub-atmosphericChemicalVaporDeposition）下沈积出低应力的二氧化硅薄膜来进行深沟填补。7.电感耦合电浆化学气相沈积法（InductivelyCoupledPlasmaPlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition，ICPPECVD）沈积的氧化层可以当作封装的一个材料。8.快速热化学气相沉积（RapidthermalCVD，RTCVD）：使用加热灯或其它方法快速加热晶圆。只对基底加热，而不是气体或腔壁。可以减少不必要的气相反应，以免产生不必要的粒子。快速升温化学气相沈积(Rapid-ThermalChemicalVaporDeposition-RTCVD)系统于SiliconWafer上成长氮碳化硅(SiCN)之缓冲层(buffer-layer)约2000~10000A，能有效消除Si与GaN之间的晶格不匹配度。RTCVD最大的优点，是在于利用快速的升温和降温来使薄膜的成长局限于所指定之高温范围中，如此可以提高所成长薄膜之质量。此外，此系统在低温下进行气体切换，将可减少反应气体的残留时间。所以RTCVD较易成长各类具有突变接面的结构，且比传统CVD更容易成长复层结构。9.有机金属化学气相沉积（Metalorganicchemicalvapordeposition，MOCVD）：前驱物使用有机金属的CVD技术。MOCVD(metalorganicchemicalvapordeposition)方法，在低温(400~800℃)成长GaN缓冲层约100~700A(成长压力为200~700Torr)，再以高温(900~1200℃)继续成长正式GaN薄膜约0.5~5μm(成长压力为200~700Torr)，如此得到之薄膜。10.超高真空化学气相沉积（UltrahighvacuumCVD，UHVCVD：在非常低压环境下的CVD制程。大多低于10-6Pa(约为10-8torr）。注：在其它领域，高真空和超高真空大都是指同样的真空度，约10-7Pa。11.气溶胶辅助气相沉积（AerosolassistedCVD，AACVD）：使用液体/气体的气溶胶的前驱物成长在基底上，成长速非常快。此种技术适合使用非挥发的前驱物。12.直接液体注入化学气相沉积（DirectliquidinjectionCVD，DLICVD）：使用液体（液体或固体溶解在合适的溶液中）形式的前驱物。液相溶液被注入到蒸发腔里变成注入物。接着前驱物经由传统的CVD技术沉积在基底上。此技术适合使用液体或固体的前驱物。此技术可达到很多的成长速率。13.微波电浆辅助化学气相沉积（Microwaveplasma-assistedCVD，MPCVD）14.远距电浆增强化学气相沉积（Remoteplasma-enhancedCVD，RPECVD）：和PECVD技术很相近的技术。但晶圆不直接放在电浆放电的区域，反而放在距离电浆远一点的地方。晶圆远离电浆区域可以让制程温度降到室温。15.原子层化学气相气相沉积（AtomiclayerCVD，ALCVD）：连续沉积不同材料的晶体薄膜层。16.热丝化学气相沉积（HotwireCVD，HWCVD）：也称做触媒化学气相沉积（CatalyticCVD，Cat-CVD）或热灯丝化学气相沉积（HotfilamentCVD，HFCVD）。使用热丝化学分解来源气体。17.混合物理化学气相沉积（HybridPhysical-ChemicalVaporDeposition，HPCVD）：一种气相沉积技术，包含化学分解前驱气体及蒸发固体源两种技术。18.光激发化学气相沉积(Photo-CVD)制造过程中，光激发气相沉积技术中，使用氘灯当作激发光源，使得沉积二氧化硅绝缘层在氮化镓上。Photo-CVD系统有三种反应光源，有不同的能量源：(1)紫外线光源(UVlamp)，(2)雷射光源，(3)红外线光源(IRlamp)。在19.二氧化碳雷射气相沉积法LAPECVD(Laser-AssistedPECVD)在不同的反应槽中成长出非晶型二氧化硅薄膜及碳质薄膜。也在PECVD系统成长薄膜的同时，引导二氧化碳雷射光斜向进入PECVD反应室中，照射在硅基板上，在低温制程下(55℃)，改善非晶型氮化硅氢薄膜及二氧化硅薄膜之品质：如折射率增加，膜之致密性及平整度佳，薄膜抗腐蚀性明显提升，阻抗(resistance)增强。20.电子回旋气相沉积法(ECR-CVD)氢化氧化硅(SiOX:H)薄膜的特性与在硅晶异质界面太阳电池上的应用。ECR-CVD属于高电浆密度的薄膜沉积制程设备，主要是以磁场内的电子回转角频率和入射微波频率相同产生共振时的能量吸收转化来使制程气体解离产生高密度电浆。ECR-CVD相较于传统的PE-EVD有沉积速率较快速、低离子轰击、无电极污染、较高的气体使用率…等优势。21.Photo-initiatedCVD(PICVD)该方法使用的UV光激发化学反应。它类似于等离子体处理，因为等离子体是紫外辐射的强烈发射。在一定条件下，PICVD可在或接近大气压下操作。[22.热丝CVD（Hot-wireCVDchemicalvapordeposition化学气相沉积）是金刚石薄膜建立的涂覆技术。23.OMCVD(OrganometallicChemicalVaporDeposition)与OMVPE(OrganometallicVapor-PhaseEpitaxy)及等等，其中的前两个字母MO或是OM，指的是半导体薄膜成长过程中所采用的反应源(precusor)为金属化合物Metal-organic或是有机金属化合物。而后面三个字母CVD或是VPE，指的是所成长的半导体薄膜的特性是属于非晶形薄膜或是具有晶形的薄膜。一般而言，CVD所指的是非晶形薄膜的成长，这种成长方式归类于沉积(Deposition)；而VPE所指的是具有晶形的薄膜成长方式，这种方式归类于磊晶(Epitaxy)。24.冷壁式-低压化学气相沉积(ColdWall-LowPressureChemicalVaporDposition)在晶座表面与腔体壁面有着极大的温度差，气体会因为高温而使密度下而产生浮力上面有着极大的温度差，气体会因为高温而使密度下而产生浮力上升，再受到上方冷空气冷却而形成回流，这是由于巨大的温梯所导致的不稳定现气通常上现可用分子量较小的气体，如氢气来改善。25.High-temperaturesilicondioxidechemicalvapordeposition(HTOCVD),采SiH2Cl2和N2O，可以实现致密的和共形氧化物膜，不仅对大尺寸的硅芯片，但是即使内部的微观硅沟槽，高温达800℃左右。26.HotfilamentCVD(HFCVD)也被称为CatCVD法（Cat-CVD）或更常见，发起CVD（ICVD），这个过程使用热灯丝进行化学分解的原料气体。灯丝温度和衬底温度从而独立地进行控制，从而较冷的温度在基底较好的吸附率和较高的温度所需的前体分解自由基的灯丝27.CombustionChemicalVaporDeposition(CCVD)–燃烧化学气相淀积或火焰热解是一种open-atmosphere，火焰为基础的技术为高质量的薄膜和纳米材料沉积。28.AerosolassistedCVD(AACVD)–这种CVD方法，其中前体是由一个液体/气体的气溶胶，它可以被超声波产生装置传送到基底上。这个技术适合于具有非挥发性前体的使用。29.DirectliquidinjectionCVD(DLICVD)–这种CVD法，其中前体是液体形式（液体或固体溶解在合适的溶剂）。液体溶液被注入蒸发室朝向喷射器(typicallycarinjectors)。将前体蒸气然后被输送到基底如在经典的CVD法。该技术是适合于液体或固体前体的使用。高增长率可以使用这种技术来达到。30.电浆增强-原子层化学气相沉积(plasma-enhancedatomic-layerchemicalvapordeposition，PE-ALCVD)技术，可进行对奈米孔洞二氧化硅(np-SiO2)ultralow-k薄膜材料在铜双镶嵌(dualdamascene)结构制程的整合。借着对np-SiO2薄膜的改质，包括增强疏水性与机械强度与进行孔洞封合处理，并开发最佳化的PE-ALCVD的沉积制程条件，以增强np-SiO2介电薄膜与Cu扩散阻障层及晶种层超薄薄膜与的兼容性，以验证np-SiO2薄膜在铜金属联机制程技术的可行性。