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1《数字逻辑与数字系统》余文北京邮电大学计算机科学与技术学院24.3只读存储器1.ROM的特点和性能指标2.ROM的分类3.ROM的结构与工作原理4.ROM的应用3ROM的特点和性能指标ROM只能读出工作时,将地址加到ROM地址输入端,便可在数据输出端得到一个事先存入的数据。优点:不易失性.断电后,存储数据不会丢失.可长久保存.常存放固定数据、程序和函数表。缺点:不能重写或改写。最初存入数据的过程,称为对ROM进行编程.4ROM的性能指标存储容量和存取时间存储容量存储器存放信息的能力,存储容量越大,所能存储的信息越多,功能越强。存取时间存取时间指一个读(或写)周期。读(或写)周期越短,存取时间越短,存储器工作速度越高。5ROM的分类根据编程方式,分为固定ROM、一次编程ROM、多次改写编程ROM和闪速存储器四类。固定ROM掩模式只读存储器,数据在芯片制造过程“固化”在ROM中,使用时读出,不能改写。通常存放固定数据、程序和函数表等。可向厂家定做。固定ROM可靠性好,集成度高,适宜大批量生产。一次编程只读存储器(PROM)出厂时所有存储元全0或全1,用户可自行改1或0。用熔丝烧断或PN结击穿法编程,烧断或PN击穿不能恢复,一次性编程.编程完毕内容永久保存.已少使用。6ROM的分类可多次编程的只读存储器光擦可编程只读存储器EPROM电擦可编程只读存储器E2PROM电改写只读存储器EAROM可用紫外光照射或加电法擦除已写入的数据,用电方法可重新写入新的数据。可多次改写内容。闪速存储器(FLASH)英特尔上世纪90年代发明的一种高密度、非易失性的可读/写存储器,既有EEPROM的特点,又有RAM的特点,无须编程器.7ROM的结构与工作原理组成:由存储矩阵、地址译码器、输出缓冲电路组成。存储矩阵:存储单元组成。存储单元中存储元个数为字长。地址译码器:地址码到存储单元的映射.每个地址使一条字线有效,该单元信息将送至输出缓冲器读出。输出缓冲器:读出电路,数据输出线D01—Dm-1又称位线8一次编程只读存储器的结构地址译码器和存储矩阵分别由与门和或门阵列组成.与门阵列和或门阵列可用二极管构成(如图)。地址线:A1、A0;字线(W0--W3);与门阵列的输出.位线(数据线):D3--D0;或门阵列的输出.存储容量:存储单元数乘位数(字数乘位数)。图例:存储容量为4x4(位)9二极管ROM模型地址译码--与阵列:每个地址产生一条(高电平)有效字线(W0---W3),使或阵列一个单元输出数据D3---D0存储矩阵--或阵列:字线W与位线的交叉点是存储元。交叉点接二极管相当于存储1,不接相当于存储0如A1A0=11W3线有效,若EN’=0,则D3-D0=111010二极管ROM模型【例】A1A0=00时,W0线高电平(左上两二极管截止)或门阵列中D2’、D0’为1(左下两个二极管导通),若EN’=0,ROM输出为D3D2D1D0=0101。分析:A1A0=01时,ROM输出D3D2D1D0=?11ROM点阵结构表示法ROM的结构可用阵列图来表示:地址线、字线,(数据)位线。字线和位线相互垂直,与阵列在上(左),或阵列在下(右).与阵列交叉点(黑点)表示有一个二极管.无黑点表示没有。存储矩阵交叉点(黑点)表示存储元存1,无黑点表示存0。12ROM工作原理(编程)把ROM看作组合电路,地址码A1A0是输入变量,数据码D3---D0是输出变量,则输出:13ROM的工作原理把ROM看作存储单元与阵列不编程。或阵列(存储矩阵)编程。或阵列不同,每个单元中存储的数据不同.14如当地址码A2A1A0=000时,使字线P0=1,数据0000输出。如当地址码A2A1A0=011时,数据输出是什么?。若n条地址线,可产生字线为2n条,寻址2n个单元。若输出是m位,存储器的总容量是2n×m。示例1:一个8(字线)×4(数据)的存储器阵列图15多次改写编程的只读存储器除一次编程只读存储器(PROM)外,多次改写编程的只读存储器有光(紫外线)擦可编程只读存储器EPROM电擦可编程只读存储器E2PROM电改写只读存储器EAROM16图例:下图是紫外线擦除、电可编程的EPROM2716器件逻辑框图和引脚图。地址线A0~A10,字线2048条.数据输出/输入线D7~D0容量:211×8位。CS为片选控制信号。OE/PGM为读出/写入控制端:低电平时输出有效,高电平时进行编程(写入数据)17ROM的应用组合逻辑设计代码转换器组合逻辑函数计算机系统初始引导和加载程序的固化;微程序控制器的设计;函数运算表字符图形发生器控制系统中用户程序的固化。18ROM的应用(代码转换器)[例]用ROM实现4位二进制码到格雷码的转换【解】1)输入:二进制码B0---B3,输出:格雷码G3--G0,16个字,每个字四位,故选容量为24×4的ROM2)真值表3)位线编程和字线编程19ROM的应用方法一:位线编程---输出函数为若干最小项之和20ROM的应用输出为某些最小项之和——按位线编程21ROM的应用(代码转换器)方法二:按字线编程--输出是各存储单元中数据22代码转换器逻辑符号图23ROM的应用(组合逻辑函数)ROM实现逻辑函数的步骤:列出函数最小项表达式(或真值表)。选择合适的ROM。画出函数的阵列图。[示例]用ROM实现函数24解方法一:按位线编程:列出函数的最小项表达式1)按A、B、C、D排列变量,将Y1,Y2,Y3,Y4视作A、B、C、D的逻辑函数,写出各函数的最小项表达式2)ABCD作为ROM地址输入,4个函数对应四输出。选容量为16×4位的ROM.253由函数最小项表达式,按位线编程,画阵列图26ROM的应用方法二:按字线编程:列出函数的真值表•根据地址0000-1111,分别计算Y1,Y2,Y3,Y4,依次写入到ROM中。•如地址0000,则Y1Y2Y3Y4=0001。对地址0001,Y1Y2Y3Y4=1011。….对地址1111,Y1Y2Y3Y4=0110。27ROM的应用(函数运算表)基本思路ROM的地址视作输入函数的取值作为地址中内容,事先写入到ROM中.通过地址输入,读出相应的函数值。M相当于是函数运算表电路。实现方法与用ROM实现组合逻辑函数的方法相同。[示例]用ROM实现函数y=x2的运算表电路。28[示例]用ROA实现函数y=x2的运算表电路。设x的取值范围为0---15的正整数.分析:x的取值范围为0---15的正整数,则对应的4位二进制数,用B=B3B2B1B0表示。算出y的最大值是152=225,用8位二进制Y=Y7Y6Y5Y4Y3Y2Y1Y0表示。由此可列出y=x2的真值表。29方法1按字线编程,分别将0、1、4、9、…、225,写入到地址0000、0001、0010、0011、…、1111。30ROM的应用方法2:按位线编程.写出输出函数的最小项表达式31ROM的应用ROM的连线图按字线编程:按位线编程:32FLASH存储器也称闪存,高密度非易失性的读/写存储器。有RAM和ROM的优点。FLASH存储元FLASH的基本操作FLASH的阵列结构33FLASH存储元存储元:单个MOS晶体管组成.漏极D,源极S,控制栅和浮空栅。浮空栅:电子多:状态0电子少:状态1控制栅正电压:状态1:SD导通;状态0:SD不导通;读出源极S正电压:吸收浮空栅电子擦除写1控制栅足够正电:浮空栅聚集电子写0(编程).34三种基本操作:编程:控制栅为编程电压VP写0操作。控制栅无正电:相当于写1擦除:源极S为正电压,相当于写1.读出::控制栅加读出电压VR状态1:SD导通;状态0:SD不导通;35FLASH阵列结构各种存储器性能比较(表4.2,P,118)FLASH主要优点1非易失2高密度3单晶体管存储元4可写性37小结•ROM主要由与门—或门”二级电路组成。与阵列不可编程,或门可编程。•组合逻辑函数可写为标准与或表达式.可用PROM实现.但PROM只能实现函数的标准与或表达式。•PROM能制作数码转换器、函数转换表、字符显示电路等。•PROM的编程:按字线编程,按位线编程。课堂练习1写出电路逻辑表达式2如图2-2:1)描述存储器2716的容量。2)用2716组成8K×16的存储器需要几片?C.用PLA实现D.用ROM实39第四章作业4,6,10补充题:总结三种特殊存储部件的特点40练习题
本文标题:14数字逻辑4-2.
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