双路高功率MOSFET芯片中文资料mcp1403a

2007MicrochipTechnologyInc.DS22022B_CN第1页MCP1403/4/5特性•高峰值输出电流：4.5A（典型值）•输出级具有低的贯通/导通交叉电流•宽输入电源电压范围：-4.5V至18V•高容性负载驱动能力：-15ns内驱动2200pF-34ns内驱动5600pF•延迟时间短：40ns（典型值）•低电源电流：-对应逻辑1输入–1.0mA（典型值）-对应逻辑0输入–150µA（典型值）•栓锁保护：能够承受1.5A反向电流•逻辑输入端能够承受摆幅昀高为5V的负输入•封装：8引脚SOIC和PDIP，以及8引脚6x5DFN和16引脚SOIC应用•开关式电源•脉冲变压器驱动•线路驱动器•马达和螺线管驱动概述MCP1403/4/5系列是双路反相、同相或互补输出驱动器。该器件可为容性负载提供4.5A（典型值）的高峰值驱动电流。该系列器件具有更低的导通电流、匹配的上升/下降时间和传输时延。MCP1403/4/5驱动器工作于4.5V至18V单电源条件下，能够在15ns（典型值）之内轻松地对2200pF的栅极电容进行充/放电。在开、关状态下，器件都具有足够低的阻抗，从而确保即使在发生大的瞬态事件时，MOSFET的预期状态也不会受到影响。MCP1403/4/5输入可直接由TTL或CMOS（3V至18V）电平驱动。MCP1403/4/5双输出4.5A驱动器系列提供表面贴装和通孔封装两种形式，其额定工作温度范围均为-40oC至+125oC。增强散热性能的DFN封装具有更低的热阻，从而允许更多的功耗来驱动更大的容性或阻性负载。只要在其功率和电压范围内，这些器件在任何情况下都具有很强的抗闭锁能力。当接地端噪声尖峰的幅度（任意方向）小于等于5V时，器件不会损坏。所有引脚都被充分地保护，能承受昀高4kV的静电放电（ElectrostaticDischarge，ESD）。封装类型8引脚DFN(2)NCINAGNDINB234567818引脚1234NC5678OUTAOUTBNCINAGNDINBVDD注1：重名的引脚必须都有连接，器件才能正常工作。2：DFN封装的外露衬底是电气绝缘的。MCP1403MCP1404NCOUTAOUTBVDDMCP1405NCOUTAOUTBVDD1234567816131211109NCINANCGNDGNDNCINBNCNCOUTAVDDVDDOUTBOUTBNCOUTA151416引脚SOICNCOUTAVDDVDDOUTBOUTBNCOUTAOUTAVDDVDDOUTBOUTBNCOUTAMCP1403MCP1404MCP1405NCNCOUTAOUTBVDDMCP1403MCP1404NCOUTAOUTBVDDMCP1405NCOUTAOUTBVDDPDIP/SOIC4.5A双路高速功率MOSFET驱动器MCP1403/4/5DS22022B_CN第2页2007MicrochipTechnologyInc.功能框图(1)有效输入C=20pFMCP1403双路反相MCP1404双路同相输入GNDVDD300mV4.7V反相同相注1：所有未使用的输入端均应接地。730µA输出（对于每个输入）MCP1405反相/同相2007MicrochipTechnologyInc.DS22022B_CN第3页MCP1403/4/51.0电气特性绝对昀大值†电源电压..........................................................................+20V输入电压...............................（VDD+0.3V）至（GND–5V）输入电流(VINVDD)......................................................50mA†注：如果器件的工作条件超过“绝对昀大值”列出的范围，就可能会对器件造成永久性损坏。上述值仅为运行条件极大值，我们建议不要使器件在该规范规定的范围以外运行。器件长时间工作在昀大额定值条件下，其稳定性会受到影响。直流特性（注2）电气规范：除非另外声明，否则所有参数均适用于TA=+25°C，4.5V≤VDD≤18V。参数符号昀小值典型值昀大值单位条件输入逻辑1，高输入电压VIH2.41.5—V逻辑0，低输入电压VIL—1.30.8V输入电流IIN–1—1µA0V≤VIN≤VDD输入电压VIN-5—VDD+0.3V输出高输出电压VOHVDD–0.025——VDC测试低输出电压VOL——0.025VDC测试输出电阻，高ROH—2.23.0ΩIOUT=10mA，VDD=18V输出电阻，低ROL—2.83.5ΩIOUT=10mA，VDD=18V峰值输出电流IPK—4.5—AVDD=18V（注2）栓锁保护可承受的反向电流IREV—1.5—A占空比≤2%，t≤300µs开关时间（注1）上升时间tR—1528ns图4-1和图4-2CL=2200pF下降时间tF—1828ns图4-1和图4-2CL=2200pF延迟时间tD1—4048ns图4-1和图4-2延迟时间tD2—4048ns图4-1和图4-2电源电源电压VDD4.5—18.0V电源电流IS—1.02.0mAVIN=3V（两个输入）IS—0.150.25mAVIN=0V（两个输入）注1：由设计确保开关时间。2：经过器件特性测试，未经生产测试。MCP1403/4/5DS22022B_CN第4页2007MicrochipTechnologyInc.直流特性（整个工作温度范围）温度特性电气规范：除非另外声明，否则所有参数均适用于整个工作温度范围，且4.5V≤VDD≤18V。参数符号昀小值典型值昀大值单位条件输入逻辑1，高输入电压VIH2.4——V逻辑0，低输入电压VIL——0.8V输入电流IIN–10—+10µA0V≤VIN≤VDD输出高输出电压VOHVDD–0.025——VDC测试低输出电压VOL——0.025VDC测试输出电阻，高ROH—3.16.0ΩIOUT=10mA，VDD=18V输出电阻，低ROL—3.77ΩIOUT=10mA，VDD=18V开关时间（注1）上升时间tR—2540ns图4-1和图4-2CL=2200pF下降时间tF—2540ns图4-1和图4-2CL=2200pF延迟时间tD1—5065ns图4-1和图4-2延迟时间tD2—5065ns图4-1和图4-2电源电源电流IS——2.00.23.00.3mAVIN=3V（两个输入）VIN=0V（两个输入）注1：由设计确保开关时间。2：经过器件特性测试，未经生产测试。电气规范：除非另外声明，否则所有参数均适用于4.5V≤VDD≤18V。参数符号昀小值典型值昀大值单位条件温度范围规定温度范围TA–40—+125°C昀大结温TJ——+150°C储存温度范围TA–65—+150°C封装热阻热阻，8引脚6x5DFNθJA—33.2—°C/W典型四层板，有连接到地电位层的导孔热阻，8引脚PDIPθJA—125—°C/W热阻，8引脚SOICθJA—155—°C/W热阻，16引脚SOICθJA—155—°C/W4层JC51-7标准板，自然对流2007MicrochipTechnologyInc.DS22022B_CN第5页MCP1403/4/52.0典型性能曲线注：除非另外声明，否则所有参数均适用于TA=+25°C且4.5V≤VDD≤18V。图2-1：上升时间—电源电压关系曲线图2-2：上升时间—容性负载关系曲线图2-3：上升和下降时间—温度关系曲线图2-4：下降时间—电源电压关系曲线图2-5：下降时间—容性负载关系曲线图2-6：传输时延—输入幅度关系曲线注：以下图表来自有限数量样本的统计结果，仅供参考。所列出的性能特性未经测试，不做任何担保。一些图表中列出的数据可能超出规定的工作范围（例如，超出了规定的电源电压范围），因而不在担保范围内。1020304050607080901004681012141618SupplyVoltage(V)RiseTime(ns)6800pF4700pF2200pF1800pF1020304050607080100010000CapacitiveLoad(pF)RiseTime(ns)5V18V12V12141618202224-40-25-105203550658095110125Temperature(oC)Time(ns)tFALLtRISECLOAD=1800pF1020304050607080901004681012141618SupplyVoltage(V)FallTime(ns)6800pF4700pF2200pF1800pF102030405060708090100100010000CapacitiveLoad(pF)FallTime(ns)5V18V12V3560851101351602345678910InputAmplitude(V)PropagationDelay(ns)tD1tD2VDD=12VCLOAD=1800pFMCP1403/4/5DS22022B_CN第6页2007MicrochipTechnologyInc.典型性能曲线（续）注：除非另外声明，否则所有参数均适用于TA=+25°C且4.5V≤VDD≤18V。图2-7：传输时延—电源电压关系曲线图2-8：传输时延—温度关系曲线图2-9：静态电流—电源电压关系曲线图2-10：静态电流—温度关系曲线图2-11：输出阻抗（输出高电平）—电源电压关系曲线图2-12：输出阻抗（输出低电平）—温度关系曲线304050607080901004681012141618SupplyVoltage(V)PropagationDelay(ns)tD1tD2CLOAD=1800pF303540455055606570-40-25-105203550658095110125Temperature(oC)PropagationDelay(ns)tD1tD2CLOAD=1800pF00.10.20.30.40.54681012141618SupplyVoltage(V)QuiescentCurrent(mA)BothInputs=1BothInputs=000.10.20.30.40.5-40-25-105203550658095110125Temperature(oC)QuiescentCurrent(mA)BothInputs=1BothInputs=012345674681012141618SupplyVoltage(V)ROUT-HI(:)TJ=+150oCTJ=+25oCVIN=5V(MCP1404)VIN=0V(MCP1403)23456784681012141618SupplyVoltage(V)ROUT-LO(:)TJ=+150oCTJ=+25oCVIN=0V(MCP1404)VIN=5V(MCP1403)2007MicrochipTechnologyInc.DS22022B_CN第7页MCP1403/4/5典型性能曲线（续）注：除非另外声明，否则所有参数均适用于TA=+25°C且4.5V≤VDD≤18V。图2-13：电源电流—容性负载关系曲线图2-14：电源电流—容性负载关系曲线图2-15：电源电流—容性负载关系曲线图2-16：电源电流—频率关系曲线图2-17：电源电流—频率关系曲线图2-18：电源电流—频率关系曲线0102030405060708090100100100010000CapacitiveLoad(pF)SupplyCurrent(mA)650kHzVDD=18V50kHz100kHz200kHz400kHz020406080100120100100010000CapacitiveLoad(pF)SupplyCurrent(mA)2MHzVDD=12V500kHz200kHz100kHz1MHz0204060801