第10讲 存储器基本知识

第10讲存储器基本知识一.分级存储器系统结构把各种不同存储容量、不同存取速度的存储器，按照一定的体系结构方式组织起来，使所存放的程序和数据按层次分布在各种存储器中。一.分级存储器系统结构CPU主存外存一.分级存储器系统结构CPUCache主存外存二.虚拟存储技术CPU主存外存虚拟存储技术的基本思想逻辑地址空间三.半导体存储器分类MOS型存储器SRAM(静态)DRAM(动态)掩模ROMPROM(可编程)EPROM(紫外线可擦除、可编程)E2PROM(电可擦除、可编程)RAMROMSAM（顺序存储器）四.各类存储器芯片与CPU的接口特性1.EPROM的接口特性符号名称说明A0-A15地址线接相应的地址总线O0-O7数据线接数据总线CE片选线编程写入时接编程脉冲OE输出允许线控制数据的读出VCC工作电源线+5VVPP编程电源线编程时接+20V左右GND地线EPROM接口信号线四.各类存储器芯片与CPU的接口特性1.EPROM的接口特性CEOEVPPVCC操作方式00+5V+5V读1（正脉冲）1+25V+5V编程00+25V+5V编程校验01+25V+5V编程禁止EPROM操作方式EPROM与CPU的连接方法译码器2716A0～10A11～15A0～101MRDCEOED0～7译码器2716A0～10A11～15A0～101MRDCEOED0～7译码器2716A0～10A11～15A0～1011MMRDRDCECEOEOED0～72.E2PROM的接口特性四.各类存储器芯片与CPU的接口特性早期的E2PROM芯片是靠外加高压电源（+21V）进行檫写；后来芯片檫写操作在+5V下完成，写入过程自动完成檫除操作；E2PROM芯片增加了WE写允许信号；（=0，写操作；=1，读操作）3.SRAM的接口特性四.各类存储器芯片与CPU的接口特性低位地址线、数据线、电源线直接相连；高位地址线经译码后驱动片选信号CE；控制总线组合形成读/写控制信号WE或OE/WE。4.DRAM的接口特性（216464K×1位）四.各类存储器芯片与CPU的接口特性８位行地址锁存８位列地址锁存128×128矩阵128×128矩阵128×128矩阵128×128矩阵行译码行译码列译码列译码4选１输出缓冲DOUT77RA7CA7RASCASA0~A75.DRAM内存条的接口特性四.各类存储器芯片与CPU的接口特性SIMM（单列直插式存储模块）DIMM（双列直插式存储模块）30线SIMM72线SIMM5.DRAM内存条的接口特性四.各类存储器芯片与CPU的接口特性168线DIMM184线DIMM30线内存条数据宽度：8位72线内存条数据宽度：32位168线和184线内存条数据宽度：64位5.DRAM内存条的接口特性四.各类存储器芯片与CPU的接口特性