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RAM62256随机存储器的应用实验目的熟悉RAM62256的管脚功能。掌握随机存储器的性能及使用方法。实验内容1.对RAM62256中的存储单元进行写入操作。(存储单元从000~111)2.读出RAM62256存储单元中的内容。(用发光二极管显示状态)3.选做:用RAM62256随机存储器设计一个4循环彩灯电路。实验器件RAM62256、发光二极管、拨码开关32k×8位静态随机存储器RAM62256A0~A14:地址输入端;I/O1~I/O8:数据输入/输出端;WE:写使能输入端;OE:输出使能输入端;CS:片选输入端;Vcc:电源(5V)Vss:地RAM62256引脚功能CSOEWEI/O1~8功能HXX高阻片选无效LHH高阻输出无效LLH输出读LXL输入写实验原理图RAM62256A0A1A2A3A4A5A6A7A8A9A10A11A12A13A14CS10987654325242123226120I/O1…I/O8OEWEHL11121315161718192227状态显示数据记录表格A2A1A0(地址)I/O3I/O2I/O1(写入)I/O3I/O2I/O1(读出)000000001001010010011011100100101101110110111111实验中应该注意的问题1.把地址线A2~A0、数据线I/O3~I/O1、读写信号线OEWR分别按顺序连接到几个拨码开关上,同时连接到发光二极管上来指示信号电平的高低。2.写入数据时先置OE、WR信号为高电平,正确设置地址和数据后,拨动WR开关,顺序为高—低—高,依次往前8个RAM单元中写入数据00H~07H3.读出数据时必须首先将数据线与拨码开关断开,但数据线仍需要和发光二极管相连,依次改变地址线A2~A0,观察并记录读出的数据I/O3~I/O1。4.如果读出数据时发现个别地址的数据不正确,只需要对此地址重新写入数据,不需要所有的地址全部重写。思考题1.RAM62256有多少条地址线?有多少条数据线?有多少个存储单元?2.实验中写入RAM数据后,当读数据时会发现某些单元的数据变化了,为什么?3.如何使用RAM62256构成64K的静态数据存储器?
本文标题:实验二-3-RAM62256存储器的应用
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