课后作业答案Ch5

1第5章存储器系统5.1内部存储器主要分为哪两类?它们的主要区别是什么?解:（1）分为ROM和RAM。（2）它们之间的主要区别是：。ROM在正常工作时只能读出，不能写入。RAM则可读可写。。断电后，ROM中的内容不会丢失，RAM中的内容会丢失。5.2为什么动态RAM需要定时刷新？解：DRAM的存储元以电容来存储信息，由于存在漏电现象，电容中存储的电荷会逐渐泄漏，从而使信息丢失或出现错误。因此需要对这些电容定时进行“刷新”。5.3CPU寻址内存的能力最基本的因素取决于___________。解：地址总线的宽度。5.4试利用全地址译码将6264芯片接到8088系统总线上，使其所占地址范围为32000H～33FFFH。解：将地址范围展开成二进制形式如下图所示。00110010000000000000001100111111111111116264芯片的容量为8×8KB，需要13根地址线A0～A12。而剩下的高7位地址应参加该芯片的地址译码。电路如图所示：2WED0～D7A0···A12A12A0MEMWMEMRA19A18A17A16A15A14A13CS2OECS1+5V8088系统BUSSRAM6264D0～D7&35.5内存地址从20000H～8BFFFH共有多少字节？解：共有8BFFFH－20000H＋1＝6C000H个字节。或432KB。5.6若采用6264芯片构成上述的内存空间，需要多少片6264芯片？解：每个6264芯片的容量位8KB，故需432/8＝54片。5.7设某微型机的内存RAM区的容量位128KB，若用2164芯片构成这样的存储器，需多少2164芯片？至少需多少根地址线？其中多少根用于片内寻址？多少根用于片选译码？解：（1）每个2164芯片的容量为64K×1bit，共需128/64×8＝16片。（2）128KB容量需要地址线17根。（3）16根用于片内寻址。（4）1根用于片选译码。注意，用于片内寻址的16根地址线要通过二选一多路器连到2164芯片，因为2164芯片是DRAM，高位地址与低位地址是分时传送的。5.8现有两片6116芯片，所占地址范围为61000H～61FFFH，试将它们连接到8088系统中。并编写测试程序，向所有单元输入一个数据，然后再读出与之比较，若出错则显示“Wrong！“，全部正确则显示”OK！“。解：连接如下图所示。测试程序段如下：OKDB‘OK!’,$WRONGDB‘Wrong!’,$…MOVAX,6100HMOVES,AX4MOVDI,0MOVCX,1000HMOVAL,55HREPSTOSBMOVDI,0MOVCX,1000HREPZSCASBJZDISP_OKLEADX,WRONGMOVAH,9INT21HHLTDISP_OK:LEADX,OKMOVAH,9INT21HHLT5≥1R/WD0D7A0···A10A10A0MEMWMEMRA18A19A16A15A14A17A13OECS8088系统BUSSRAM6116&CABG2AG2BG1&Y2LS138～D0D7～D0D7A0CS～R/W···A10A10MEMROEMEMWA0A12A11D0D7～Y365.9甚什么是字扩展？什么是位扩展？用户自己购买内存条进行内存扩充，是在进行何种存储器扩展？解：（1）当存储芯片的容量小于所需内存容量时，需要用多个芯片构成满足容量要求的存储器，这就是字扩展。（2）当存储芯片每个单元的字长小于所需内存单元字长时，需要用多个芯片构成满足字长要求的存储模块，这就是位扩展。（3）用户在市场上购买内存条进行内存扩充，所做的是字扩展的工作。5.1074LS138译码器的接线图如教材第245页的图5-47所示，试判断其输出端Y0#、Y3#、Y5#和Y7＃所决定的内存地址范围。解：因为是部分地址译码（A17不参加译码），故每个译码输出对应2个地址范围：Y0＃：00000H～01FFFH和20000H～21FFFHY3＃：06000H～07FFFH和26000H～27FFFHY5＃：0A000H～0BFFFH和2A000H～2BFFFHY7＃：0E000H～0FFFFH和2E000H～2FFFFH5.11某8088系统用2764ROM芯片和6264SRAM芯片构成16KB的内存。其中，ROM的地址范围为0FE000H～0FFFFFH，RAM的地址范围为0F0000H～0F1FFFH。试利用74LS138译码，画出存储器与CPU的连接图，并标出总线信号名称。解：连接如下图所示。7WED0D7A0···A12A12A0MEMWMEMRA18A19A16A17A15OECS18088系统BUS6264CABG2AG2BG1&Y0LS138～D0D7～D0D7A0CE～···A12A12MEMROEA0A14A13D0D7～Y72764CS2+5V85.12叙述EPROM的编程过程，并说明EPROM和EEPROM的不同点。（不要求）解：（1）对EPROM芯片的编程过程详见教材第215～217页。（2）EPROM与EEPROM的不同之处为：。EPROM用紫外线擦除，EEPROM用电擦除。。EPROM是整片擦除，EEPROM可以整片擦除，也可以逐个字节地擦除。5.13试说明FLASHEEPROM芯片的特点及28F040的编程过程。（不要求）解：（1）特点是：它结合了RAM和ROM的优点，读写速度接近于RAM，断电后信息又不会丢失。（2）28F040的编程过程详见教材第222～223页。5.14什么是Cache？它能够极大地提高计算机的处理能力是基于什么原理？解：（1）Cache是位于CPU与主存之间的高速小容量存储器。（2）它能够极大地提高计算机的处理能力，是基于程序和数据访问的局部性原理。5.15若主存DRAM的的存取周期为70ns，Cache的存取周期为5ns，有它们构成的存储器的平均存取周期是多少？解：平均存取周期约为70×0.1ns+5×0.9ns=11.5ns。