电子技术应用专业理论考试题库(含答案)

2018年常德市专业技能抽查试题库（电子技术应用专业）填空题1、当半导体三极管的发射结正向偏置，集电结反向偏置偏置时，三极管具有放大作用，即基极电流能控制集电极电流。2、根据三极管的放大电路的输入回路与输出回路公共端的不同，可将三极管放大电路分为共发射极，共集电极，共基极三种。3、三极管的特性曲线主要有输入特性曲线和输出特性曲线两种。4、三极管输入特性曲线指三极管集电极与发射极间所加电压VCE一定时，IBQ与UBEQ之间的关系。5、为了使放大电路输出波形不失真,除需设置静态工作点外,还需输入信号合适。6、为了保证不失真放大，放大电路必须设置静态工作点。对NPN管组成的基本共射放大电路，如果静态工作点太低，将会产生截止失真，应调RB，使其减小，则IB增大，这样可克服失真。7、共发射极放大电路电压放大倍数是uo与ui的比值。8、三极管的电流放大原理是基极电流的微小变化控制集电极电流的较大变化。9、共射组态既有电压放大作用，又有电流放大作用。10、______ABAB。（A）11、_____AAB。(A)12、______AAB。(A+B)13、___________ABACBC。14、逻辑代数有逻辑与、逻辑或和逻辑非三种基本运算。15、1____A。（）16、A⊙1=______。（A）17、如果输入与输出的关系是有0出1，全1出0，这是与非逻辑运算。全0出0，有1出1，这是或逻辑运算。18、异或门的逻辑功能是“相同出0”、“不同出1”。19、晶体二极管具有单向导电特性，利用这一特性可作开关电路。20、晶体二极管从导通到截止需要一段时间，称之为关闭时间。21、晶体三极管通过对其基极电位控制，可使其处于__导通__状态或__关闭___状态。22、晶体三极管的UBEUth(填,,或=)时，其处于截止状态。（Uth为三极管发射结导通电压）。23、电路是由电源、用电器、导线和开关等组成的闭合回路。24、电路通常有通路、开路和短路三种状态。25、某礼堂有40盏白炽灯每盏灯的功率为100W,则全部灯点亮2h,消耗的电能为8Kw.h。26、在一定温度下,导体的电阻和它的长度成正比,而和它的横截面积成反比。27、电动势为2V的电源,与9Ω的电阻接成闭合电路,电源两极间的电压为1.8伏,这时电路中的电流为0.2A,电源内阻为1Ω。28、三条或三条以上支路汇聚点称为节点;任一闭合路径称为回路。29、在分析和计算电路时,常选定某一方向作为电压或电流的参考,当选定的电压或电流的方向与实际方向一致时,则为正值。30、用伏安法测电阻,如果待测电阻比内阻大时,应采用内接法。选择题1、半导体的导电性能(C)。(A)比导体好(B)比绝缘体差(C)介于导体和绝缘体之间(D)接近金属导体2、常见的半导体有硅和(D)。(A)碳(B)铜(C)铅(D)锗3、如果温度升高，半导体的自由电子数将(A)。(A)增加(B)不变(C)减少(D)一会增加，一会减少4、如果温度升高，半导体的电阻值将(A)。(A)增加(B)不变(C)减少(D)一会增加，一会减少5、P型半导体是在有4个价电子的硅或锗中加入了有(B)个价电子的铟元素。(A)1(B)3(C)5(D)76、N型半导体是在有4个价电子的硅或锗中加入了有(C)个价电子的砷元素。(A)1(B)3(C)5(D)77、P型半导体带有很多(A)。(A)带正电量的空穴(B)带负电量的空穴(C)带正电量的自由电子(D)带负电量的自由电子8、N型半导体带有很多(D)。(A)带正电量的空穴(B)带负电量的空穴(C)带正电量的自由电子(D)带负电量的自由电子9、在二极管的P型侧接电源的正极，在N型侧接电源的负极，其接合部的电场屏蔽将(D)。(A)增强(B)不变(C)减弱(D)消失10、在二极管的P型侧接电源的正极，在N型侧接电源的负极，自由电子将越过接合面向(A)移动。(A)正极(B)负极(C)一半向正极，一半向负极(D)百分之二十向负极11、半波整流使用(A)个二极管。(A)1(B)2(C)3(D)412、全波桥式整流使用(D)个二极管。(A)1(B)2(C)3(D)413、在齐纳二极管上施加逆方向电压，当电压超过某一数值时，(D)。(A)会急剧产生电流(B)会急剧产生电阻(C)会急剧产生电流导致二极管击穿损坏(D)会急剧产生电流而不会出现击穿损坏14、齐纳二极管的齐纳电压与二极管的击穿电压相比，齐纳电压(C)。(A)高(B)低(C)相同(D)不确定15、晶体管有(B)型。(A)NNP(B)NPN(C)PNN(D)PPN16、晶体管有(C)型。(A)NNP（B)NPP(C)PNP(D)PPN17、对NPN型晶体管，如果在集电极和发射极施加电压，其中集电极为正电压，那么发射极内的自由电子(A)。(A)朝基极侧移动(B)朝集电极侧移动(C)不动(D)在发射极处无序运动18、对NPN型晶体管，如果在集电极和发射极施加电压，其中集电极为正电压，那么基极内的空穴(A)。(A)朝集电极侧移动(B)朝发射极侧移动(C)不动(D)在基极处无序运动19、在汽车中与电子控制相关的回路的开闭一般由(D)来进行。(A)开关(B)继电器(C)二极管(D)晶体管20、晶体管不存在类似继电器(B)磨损、烧损等情况。(A)线圈(B)触点(C)电磁力(D)磁力线21、在开关回路中，主要运用了晶体管的(D)优点。(A)不存在类似继电器触点磨损、烧损等情况(B)可以实现高速开闭(C)不会发生间歇电震(D)可实现小电流控制大电流。22、晶体管的运用有开关回路、定时回路、电压限制和(D)。(A)发动机转速传感(B)空气流量传感(C)温度传感(D)电子点火23、在整流电路中(C)输出的直流脉动最小。A.单相半波整流B.三相全波整流C.三相桥式整流D.单相桥式整流24、在加有滤波电容的整流电路中,二极管的导通总是(B)1800A.大于B.小于C.等于D.无法确定25、三极管基极的作用是(B)载流子。A.发射B.输送控制C.收集D.放大26、NPN、PNP三极管作放大时,其发射结(B)。A.均加反向电压B.均加正向电压C.NPN管加正向电压、PNP管加反向电压。D.PNP管加正向电压、NPN管加反向电压27、解决放大器截止失真的方法是(C)。A.增大上偏电阻B.减小集电极电阻RCC.减小偏置电阻D.增大下偏电阻28、双极型晶体管和场效应晶体管的控制信号为(C)。A.电压B.电流C.双极型为电压、场效应为电流D.双极型为电流、场效应为电压29、三相半波可控整流电路带阻性负载时,当控制角大于(D)时,输出电流开始断续。A.300B.450C.600D.90030、半导体二极管的正向交流电阻与正向直流电阻两者大小关系为(C)。A.一样大B.一样小C.前者比后者小D.前者比后者大31、输入阻抗高、输出阻抗低的放大器有(B)。A.共射极放大器B.射极跟随器C.共基极放大器32、二极管的主要特性就是(C)。A.整流B.稳压C.单向导通D.反向击穿33、在整流电路的输出端并一个电容,主要是利用电容的(C)特性,使脉动电压变得较平稳。A.电压不能突变B.滤波C.充放电D.升压34、工作在放大区域的某三极管，当IB从20μA增大到40μA时，IC从1mA变为2mA则它的β值约为B。A、10B、50C、80D、10035、NPN型和PNP型晶体管的区别是C。A、由两种不同的材料硅和锗制成的B、掺入的杂质元素不同C、P区和N区的位置不同D、管脚排列方式不同36、三极管各极对公共端电位如图所示，则处于放大状态的硅三极管是：CA、B、C、D、37、当晶体三极管的发射结和集电结都反偏时，则晶体三极管的集电极电流将:DA、增大B、减少C、反向D、几乎为零38、为了使三极管可靠地截止，电路必须满足:DA、发射结正偏，集电结反偏B、发射结反偏，集电结正偏C、发射结和集电结都正偏D、发射结和集电结都反偏39、改变三极管静态工作点、最常用、最有效、最方便的方法是(C)。A改变RCB改变UccC改变RbD改变Uce40、共射极电路，常用作(A)。A电压放大B阻抗变换C恒流源电路D缓冲作用41、放大器的输出电阻，在一般情况下，希望它尽量(B)，以提高其带负载能力。A大B小C接近无穷大D接近信号源内阻42、万用表使用完后，应将转换开关置于(C)。A电阻档B电流档C空档或高压档D无要求43、在“与”逻辑门电路中，输入量A为1，输入量B为1，则输出函数Z为(B)。A0B1C2D不定44、为了增大放大电路的输入电阻，应引入（A）负反馈。A、串联B、并联C、电压D、电流45、D触发器有(B)触发信号输入端。A、四个B、一个C、二个D、三个46、负载获得最大功率条件是(C)。A、负载电阻尽可能小B、负载电阻尽可能大C、负载电阻与电源内阻相等D、负载电阻等于两倍的电源内阻47、变压器的线圈中加铁芯后，会产生(A)和涡流铁损。A磁滞损失B铜损C漏流D线性失真48、全波整流电路中选用整流二极管时，最高反向工作电压应大于（D）。A、输入电压B、2输入电压C、2倍输入电压D、22输入电压49、单相全波整流电路中，若有一只整流二极管开路，则（B）A、输出电压增加1倍B、输出电压减小一半C、输出电压为零D、输出电压不变50、共射放大电路中，输出电压与输入电压的相位关系是（C）。A、0°B、90°C、180°D、2°7051、电压的符号为(C)。(A)R(B)I(C)U(D)P52、电压的单位是(A)。(A)伏特(B)瓦特(C)安培(D)欧姆53、电流的符号为(B)。(A)R(B)I(C)U(D)P54、电流的单位是(C)。(A)伏特(B)瓦特(C)安培(D)欧姆55、电阻的符号为(A)。(A)R(B)I(C)U(D)P56、电阻的单位是(D)。(A)伏特(B)瓦特(C)安培(D)欧姆57、电动势的符号为(A)。(A)E(B)I(C)U(D)P58、电动势的单位是(A)。(A)伏特(B)瓦特(C)安培(D)欧姆59、电功率的符号为(D)。(A)R(B)I(C)U(D)P60、电功率的单位是(B)。(A)伏特(B)瓦特(C)安培(D)欧姆61、关于欧姆定律，选出合适的描述(B)。(A)电流与电阻成正比(B)电流与电压成正比(C)电流与电压成反比(D)电流与电阻、电压无关62、向1欧姆的电阻施加1伏特的电压时产生的电流大小就是(D)安培。(A)0(B)0.5(C)1.5(D)163、电路的基本组成部分是电源、负载和(A)。(A)连接导线(B)电动势(C)负极(D)正极64、电路的基本组成部分是连接导线、负载和(A)。(A)正极(B)电动势(C)负极(D)电源65、电路中能提供电能的称为(D)。(A)耗能元件(B)储能元件(C)无源元件(D)电源元件66、电路中不能提供电能的称为(D)。(A)耗能元件(B)储能元件(C)电源元件(D)无源元件67、串联连接回路中，流过各电阻的电流(C)。(A)同各电阻的阻值成正比(B)同各电阻的阻值成反比(C)相同(D)逐渐减小68、串联连接回路中，加在各电阻的电压(A)。(A)同各电阻的阻值成正比(B)同各电阻的阻值成反比(C)相同(D)逐渐增大69、并联连接回路中，加在各电阻上的电压(C)。(A)同各电阻的阻值成正比(B)同各电阻的阻值成反比(C)相同(D)以上选项都不是70、并联连接回路中，总的电流等于各电阻的(A)。(A)电流之和(B)电流之积(C)电流平均值(D)电流均方根值71、常见的保护装置是指(C)。(A)继电器(B)开关(C)熔断器(D)电磁阀72、熔断器的容量大约是负荷电流(B)倍。(A)1(B)1.5(C)5(D)1073、常见的通断装置是指开关和(D)。(A)电磁阀(B)传感器(C)熔断器(D)继电器74、继电器是利用作用在线圈上的(C)开闭其触点，以便接通和断开电源。(A)磁力线(B)磁场(C)电磁力(D)永久磁场75、电荷的基本单位是（C）。A．安秒B.安培C.库仑D.千克76、1安培等于（B）微安。A.103B.106C.109D.10277、将一根导线均匀拉长