TC4427_中文数据手册

2006MicrochipTechnologyInc.DS21422C_CN第1页TC4426/TC4427/TC4428特性•峰值输出电流高：1.5A•输入电源电压工作范围宽：-4.5V至18V•容性负载驱动能力强：25ns内1000pF（典型值）•延时时间短：40ns（典型值）•匹配的上升和下降时间•电源电流低：-对于逻辑“1”，输入电流：4mA-对于逻辑“0”，输入电流：400µA•输出阻抗低：7Ω•锁定保护：能够经受0.5A的反向电流•输入能够经受住昀高5V的负输入•ESD保护：4kV•与TC426/TC427/TC428引脚兼容•节省空间的8引脚MSOP和8引脚6x5DFN封装应用•开关式电源•线路驱动器•脉冲变压器驱动基本说明TC4426/TC4427/TC4428器件是早先TC426/TC427/TC428系列MOSFET驱动器的改进型。在MOSFET的门极充放电时，TC4426/TC4427/TC4428器件具有匹配的上升和下降时间。在额定功率和额定电压范围内的任何条件下，器件具有很好的锁定阻抗。即便接地引脚上出现高达5V的干扰峰值（无论是正向还是反向），器件也不会损坏。器件能够接受强行返回至输出的高达500mA的反向电流（无论极性如何），不会造成器件损坏或逻辑混乱。全部引脚都是完全静电放电（ElectrostaticDischarge，ESD）保护的，能够承受至多4kV的静电。TC4426/TC4427/TC4428MOSFET驱动器，能够在30ns之内，轻松地对1000pF的门极电容进行充电/放电。在开、关状态下，器件都具有足够低的阻抗，确保MOSFET的期望状态不受影响，即便发生大的暂态也不会影响期望状态。其他兼容的驱动器是TC4426A/TC4427A/TC4428A系列器件。TC4426A/TC4427A/TC4428A器件，除了具有与TC4426/TC4427/TC4428器件类似的匹配上升和下降时间之外，还具有匹配的输入到输出的上升和下降延时时间。封装类型注1：DFN封装裸露的焊垫是电气绝缘的。8引脚DFN(1)NCINAGNDINB234567811234NC5678OUTAOUTBNCINAGNDINBVDDTC4426TC4427TC4426TC4427NCOUTAOUTBVDDTC4426TC4427TC4428NCOUTAOUTBVDDTC4428TC4428NCOUTAOUTBVDDTC4426TC4427NCOUTAOUTBVDDTC4428NCOUTAOUTBVDD8引脚MSOP/PDIP/SOIC1.5A双高速功率MOSFET驱动器TC4426/TC4427/TC4428DS21422C_CN第2页2006MicrochipTechnologyInc.功能框图有效输入C=12pF（对于每个输入）TC4426/TC4427/TC4428输出输入GNDVDD300mV4.7V反相非反相注1：TC4426有两个反相驱动器，而TC4427有两个非反相驱动器。TC4428有一个反相驱动器和一个非反相驱动器。2：所有未使用的驱动器输入接地。1.5mA2006MicrochipTechnologyInc.DS21422C_CN第3页TC4426/TC4427/TC44281.0电气特性绝对昀大额定值†电源电压...............................................................+22V输入电压，INA或INB..............................（VDD+0.3V）至（GND–5V）封装功率消耗（TA≤70°C）DFN..................................................................注3MSOP..........................................................340mWPDIP............................................................730mWSOIC............................................................470mW储存温度范围.....................................-65°C至+150°C昀大结温...........................................................+150°C†如果器件运行条件超过了上述各项绝对昀大额定值，即可能对器件造成永久性损坏。上述参数仅是运行条件的极大值。我们不建议器件运行在超过或在技术规范以外的条件下。器件长时间工作在绝对昀大额定值下，其稳定性可能受到影响。引脚功能表DC特性名称功能NC没有连接INA输入AGND地INB输入BOUTB输出BVDD电源输入OUTA输出ANC没有连接电气规范：除非另有说明，所有参数均在TA=+25ºC且4.5V≤VDD≤18V。参数符号昀小值典型值昀大值单位条件输入逻辑1，高输入电压VIH2.4——V注2逻辑0，低输入电压VIL——0.8V输入电流IIN-1.0—+1.0µA0V≤VIN≤VDD输出高输出电压VOHVDD–0.025——VDC测试低输出电压VOL——0.025VDC测试输出电阻RO—710ΩIOUT=10mA，VDD=18V峰值输出电流IPK—1.5—AVDD=18V锁定保护经受得住的反向电流IREV—0.5—A占空比≤2%，t≤300µsVDD=18V开关时间（注1）上升时间tR—1930ns图4-1下降时间tF—1930ns图4-1延时时间tD1—2030ns图4-1延时时间tD2—4050ns图4-1电源电源电流IS————4.50.4mAVIN=3V（两个输入）VIN=0V（两个输入）注1：器件设计时已确保开关时间。2：对于V温度范围器件，VIH（昀小值）下限是2.0V。3：封装功耗与PCB上铜层的面积有关。TC4426/TC4427/TC4428DS21422C_CN第4页2006MicrochipTechnologyInc.DC特性（超出工作温度范围）温度特性电气规范：除非另有说明，所有参数均在超出工作温度范围且4.5V≤VDD≤18V。参数符号昀小值典型值昀大值单位条件输入逻辑1，高输入电压VIH2.4——V注2逻辑0，低输入电压VIL——0.8V输入电流IIN-10—+10µA0V≤VIN≤VDD输出高输出电压VOHVDD–0.025——VDC测试低输出电压VOL——0.025VDC测试输出电阻RO—912ΩIOUT=10mA，VDD=18V峰值输出电流IPK—1.5—AVDD=18V锁定保护经受得住的反向电流IREV—0.5—A占空比≤2%，t≤300µsVDD=18V开关时间（注1）上升时间tR——40ns图4-1下降时间tF——40ns图4-1延时时间tD1——40ns图4-1延时时间tD2——60ns图4-1电源电源电流IS————8.00.6mAVIN=3V（两个输入）VIN=0V（两个输入）注1：器件设计时已确保开关时间。2：对于V温度范围器件，VIH（昀小值）下限是2.0V。电气规范：除非另有说明，所有参数适用于4.5V≤VDD≤18V的电压范围。参数符号昀小值典型值昀大值单位条件温度范围规定温度范围（C）TA0—+70°C规定温度范围（E）TA-40—+85°C规定温度范围（V）TA-40—+125°C昀大结温TJ——+150°C储存温度范围TA-65—+150°C封装热阻热阻，8引脚6x5DFNθJA—33.2—°C/W热阻，8引脚MSOPθJA—206—°C/W热阻，8引脚PDIPθJA—125—°C/W热阻，8引脚SOICθJA—155—°C/W2006MicrochipTechnologyInc.DS21422C_CN第5页TC4426/TC4427/TC44282.0典型性能曲线注：除非另有说明，所有参数均在TA=+25ºC且4.5V≤VDD≤18V。图2-1：上升时间－电源电压曲线图2-2：上升时间－容性负载曲线图2-3：上升和下降时间－温度曲线图2-4：下降时间－电源电压曲线图2-5：下降时间－容性负载曲线图2-6：传输延时－电源电压曲线注：以下图表来自有限数量样本的统计结果，仅供参考。所列出的性能曲线未经测试，我们不能保证。一些图表中列出的数据可能超出规定的工作范围（如超出了规定的电源范围），因此不在保证范围。tRISE(nsec)4681012141618100pF470pF2200pF1500pF1001000pF806040200VDD(V)100100010,000C(pF)LOAD5V10V15V100806040200tRISE(nsec)Time(nsec)tRISETemperature(˚C)C=1000pFLOADV=17.5VDD60–55–35525456585105125–15tFALL5040302010tFALL(nsec)4681012141618100pF470pF1000pF2200pF1500pF100806040200VDD(V)100100010,0005V10VC(pF)LOAD100806040200tFALL(nsec)15V202530354045505560657075804681012141618VDD(V)PropagationDelay(nsec)tD1tD2CLOAD=1000pFVIN=5VTC4426/TC4427/TC4428DS21422C_CN第6页2006MicrochipTechnologyInc.注：除非另有说明，所有参数均在TA=+25ºC且4.5V≤VDD≤18V。图2-7：传输延时－输入幅值曲线图2-8：电源电流－电源电压曲线图2-9：输出电阻（ROH）－电源电压曲线图2-10：传输延时－温度曲线图2-11：电源电流－温度曲线图2-12：输出电阻（ROL）－电源电压曲线10152025303540455055600123456789101112InputAmplitude(V)PropagationDelay(nsec)tD1tD2CLOAD=1000pFVDD=12V4I(mA)QUIESCENT1868101214160.1BothInputs=1BothInputs=0VDD14681012141618VDDRDS(ON)(Ω)202515105WorstCase@TJ=+150˚CTypical@TA=+25˚C1015202530354045-55-35-15525456585105125Temperature(ºC)DelayTime(nsec)tD1tD2CLOAD=1000pFVIN=5VVDD=18VTA(˚C)IQUIESCENT(mA)4.03.53.02.52.0–55–35–15525456585105125V=18VDDBothInputs=1468101214161820VDD2515105WorstCase@TJ=+150˚CTypical@TA=+25˚CRDS(ON)(Ω)2006MicrochipTechnologyInc.DS21422C_CN第7页TC4426/TC4427/TC4428注：除非另有说明，所有参数均在TA=+25ºC且4.5V≤VDD≤18V。图2-13：电源电流－容性负载曲线图2-14：电源电流－容性负载曲线图2-15：电源电流－容性负载曲线图2-16：电源电流－频率曲线图2-17：电源电流－频率曲线图2-18：电源电流－频率曲线60100100010,000ISUPPLY(mA)2MHz600kHz200kHz20kHz900kHzC(pF)LOADV=18VDD5040302010010010001