IRF540中文数据手册

IRF540N沟道MOS管特性‘Thrench’工艺低的导通内阻快速开关低热敏电阻综述使用沟渠工艺封装的N通道增强型场效应功率晶体管应用：DC到DC转换器开关电源电视及电脑显示器电源IRF540中提供的是SOT78(TO220AB)常规铅的包裹。IRF540S中提供的是SOT404(DPAK)表面安装的包裹。管脚管脚描述1Gate2Drain3SourceTabDrain极限值系统绝对最大值依照限制值符号参数条件最小值最大值单位V_DSSV_DGR漏源极电压漏门极电压Tj=25˚Cto175˚CTj=25˚Cto175˚C;--100100VVV_GSI_DI_DMP_DTj，Tsig门源极电压连续漏电流脉冲漏电流总功耗操作点和存储温度RGS=20kΩTmb=25˚C;VGS=10VTmb=100˚C;VGS=10VTmb=25˚CTmb=25˚C------55±20231692100175VAAAW℃雪崩能量极限值符号参数条件最小值最大值单位ASEASI非重复性雪崩能量最大非重复性雪崩电流Unclampedinductiveload,IAS=10A;tp=350µs;Tjpriortoavalanche=25˚C;VDD≤25V;RGS=50Ω;VGS=10V;refertofig:14--23023mJA热敏电阻符号参数条件最小值典型值最大值单位thjmbRthjaR安装底座交界处的热阻周围环境热阻SOT78封装，自由空间SOT404封装，PCB上----60501.5--K/WK/WK/W电特性25℃除非另有说明符号参数条件最小值典型值最大值单位()BRDSSV()GSTOV()DSONR漏源极崩溃电压门阀电压漏源极导通电阻GSV=0V；DI=0.25mATj=-55˚CDSV=GSV;ID=1mATj=175˚CTj=-55˚CGSV=10V;ID=17ATj=175˚C1008921----3--49132--4-677193VVVVVmΩmΩfsgGSSIDSSI向前跨导门源极泄漏电流0门极电压漏电流DSV=25V;DI=17AGSV=±20V;DSV=0VVDS=100V;VGS=0VVDS=80V;VGS=0V;Tj=175˚C8.7---15.5100.05--10010250SnAuAuA()gtotQgsQgdQ总共门极电荷门源极电荷门漏极电荷ID=17AVDD=80V;VGS=10V------651029nCnCnCdonTrTdoffTfT开启延迟时间开启上沿时间关闭延迟时间关闭下沿时间DDV=50V;DR=2.2Ω;DDV=10V;GR=5.6ΩResistiveload----8392624----nsnsnsnsdLdLsL内部漏电感内部漏电感内部源极电感MeasuredtabtocentreofdieMeasuredfromdrainleadtocentreofdie(SOT78packageonly)Measuredfromsourceleadtosourcebondpad---3.54.57.5---nHnHnHiSSCoSSCrSSC输入电容输出电容反馈电容GSV=0V;SDV=25V;f=1MHz---890139831187167109pFpFpF反向二极管极限值及特性符号参数条件最小值典型值最大值单位SISMIDSV连续源极电流脉冲源极电流二极管正向电压FI=28A；GSV=0V-----0.9423921.5AAVtrrrrQ反向恢复之间反向恢复命令FI=17A；GSV=0V;-dFI/dt=100A/us;RV=25V--61200--nsnC底座温度-自然功率降低百分比图1：自然功率损耗底座温度-漏电流降低百分比图2：自然持续漏电流漏源极电压-脉冲漏极电流峰值图3：安全操作区域脉宽-瞬态热阻抗图4：瞬态热阻抗漏源极电压-漏极电流图5：典型输出特性漏极电流-漏源极导通阻抗图6：典型导通阻抗图7：典型传递特性图8：典型跨导图9：漏源极导通阻抗图10：门阀电压图11：阈漏极电流图12：典型电容值图13：典型的反向二极管电流图14：最大允许非重复性雪崩电流(IAS)和雪崩的时间