《现代电力电子技术》林渭勋-2

现代电力电子技术主编：林渭勋1.3功率场效应晶体管(PowerMOSFET)1.3.1分类和结构1.3.2静态特性1.3.3导通电阻1.3.4安全工作区1.3.5开关过程1.3.6栅极驱动电路1.3.1分类和结构图1-6功率MOSFET单胞结构示意图a)N沟道VDMOSb)N沟道VVMOSc)N沟道型器件符号d)P沟道型器件符号1—源极2—栅极3—Si4—源区5—沟道体区6—漂移区(外延层)7—衬底8—沟道1.3.1分类和结构图1-7功率MOSFET的静态输出特性1—正向电阻区2—反向电阻区3—截止区4—饱和区(有源区)5—雪崩击穿区6—体二极管导通区1.3.2静态特性1.正向静态输出特性表1-4功率MOSFET的雪崩击穿电压1.3.2静态特性图1-8饱和区的电流转移特性2.饱和区的电流转移特性1.3.2静态特性3.无栅压反向输出特性图1-9功率MOSFET体二极管的影响a)桥式直流变换电路b)外接快速二极管的功率MOSFET1.3.3导通电阻1.导通电阻Ron的组成图1-10器件的导通电阻组成a)传统VDMOS结构b)沟槽栅VDMOS结构1.3.3导通电阻图1-11a)击穿电压b)栅压c)结温d)漏极电流1.3.4安全工作区图1-12功率MOSFET的FBSOA①—直流功耗限制线②—导通压降限制线③—电压限制线④—电流限制线⑤—单脉冲功耗限制线⑥—脉冲电流限制线1.3.4安全工作区电路运行条件对SOA的影响图1-13壳温对器件功耗的影响1.3.4安全工作区图1-14器件的瞬态热阻1.3.4安全工作区图1-15器件的等效热路1.3.4安全工作区图1-16器件的RBSOA