led照明国外技术发展现状

国外技术发展现状及政府促进计划序号公司名称主要内容技术优势特点1日本日亚化学工业株式会社（Nichia）GaN（氮化镓）基高端蓝、绿、紫及紫外LED外延芯片及白光技术，产量大第一只商品化的GaN基蓝光LED/LD；拥有目前最好的荧光粉技术，蓝光激发黄色荧光粉技术专利，蓝宝石衬底外延生长技术。Nichia与多家企业签署了各种形式的交叉许可协议。其中，2009年2月2日与首尔半导体签署的交叉许可协议最为引人关注，这标志着两家公司将正式停止耗时4年在美国、德国、日本、英国、韩国所进行的所有专利官司案件，该交叉许可协议涵盖了LED和LD(激光二极管)技术，这些技术将允许双方可以无限制地使用对方的专利。此外，Nichia还与夏普、美国流明纳斯器件公司（LuminusDevicesInc.）、AgiLight等公司签署了交叉许可协议。2美国克雷公司（Cree）SiC（碳化硅）衬底的GaN基外延，高端蓝、绿LED芯片及白光功率LED，产量大SiC基Ⅲ族氮化物外延、芯片级封装技术；大功率芯片和封装技术。Cree与三菱化学株式会社签订了专利许可协议，给予其独家授权生产和销售的独立的GaN衬底；Cree则收取该协议中规定的出售GaN衬底的保障和特许权使用费。与普瑞光电股份有限公司（BridgeLux）就专利侵权诉讼达成协议。按照之后达成的另一个供应协议，Cree公司将成为BridgeLux公司的一个重要供应商。3美国流明公司（LumiLEDs）GaN基高端蓝、绿LED外延芯片，白光封装技术，InGaALP（磷化铝镓铟）LED其技术目前处于世界先进水平。所用衬底主要是蓝宝石，也有用GaN衬底。可以生产小功率、中功率、以及大功率的LED产品，特别是能生产功率达到5W的大功率LED产品;可以生产蓝光、绿光、紫光、紫外光、白光等多种颜色和规格的产品。该公司更关注白光照明。4德国欧司朗光电公司（Osram）欧洲最大的GaN基蓝、绿LED外延芯片，白光LED及InGaAlPLEDSiC衬底的“Faceting”（切磨刻面）；在白光LED用荧光材料方面具有领先优势；zz正装功率型封装技术及车用灯具技术。公司加大对OLED的研发，尤其是在照明应用领域，同时大力发展离网照明和以节能环保为最大优势的照明系统；已将相应的技术及产品在非洲、印度等国家和地区大力推广，并加大了对亚太市场的依赖。自2007年在马来西亚建立公司第二个研发生产中心后，Osram在香港建立了亚太总部，重点发展中国和印度。5日本丰田合成公司（ToyodaGose）GaN基蓝、绿LED及白光LED，产量大1987年，受科学技术振兴事业团的开发委托，丰田合成成功地在蓝宝石上形成了LED电极。因此，把丰田合成誉为“蓝色LED的先锋”。丰田化合的生产据点除了爱知县平和町的工厂以外，还在佐贺县武雄市建立了生产蓝色LED等GaNLED的第二个生产据点。6美国Geleore公司通用（GE）公司的下属公司，主要是GaN基蓝、绿LED及白光LEDGeleore是GE公司和EMCORE公司合资形成的公司，其技术目前处于世界先进水平。GE是世界主要照明产品提供商；EMCORE公司是世界重要的MOCVD(金属有机物化学气相沉积)设备提供商，在2003年已经被美国Veeco公司收购。Geleore主要用EMCORE公司的MOCVD设备生产GaN-LED外延片，所用衬底主要是蓝宝石。GE公司主要在灯具设计方面很有自己的特色。7韩国首尔导体公司（SeoulSemiconductorCo.Ltd）GaN基蓝、绿LED，发展较快受光及发光体复合化，拥有“MODULE”（模块）化技术；拥有“DIGITAL”（数码）回路技术；拥有蓝光、白光LED在内的解决方案；拥有超迷你型、超薄型技术。2009年2月，SeoulSemiconductor与Nichia的专利纠纷以互相签署交叉许可协议作为终结，此外，SeoulSemiconductor还与奥地利锐高公司（Tridonic）签署硅酸盐基荧光粉白光LED专利交叉许可协议。8中国台湾晶元电股份有限公司GaN基蓝、绿LED，InGaALP外延芯片产量很大拥有发光二极管、雷射二极管及光电模块等技术；高亮度磷化铝镓铟发光二极管的世界市场占有率已突破30%，成为世界第一，台湾整体的市占率更高达60%以上；是台湾第一家开发完成氮化铟镓蓝光和绿光二极管的厂商。资料来源：（胡爱华.半导体照明产业的发展与前景，现代显示：2010，109（2-3）:65.）及相关网络资料。近几年，半导体照明产业发展迅速，美国、欧洲和亚洲各个国家和地区看好新兴经济体中国市场，纷纷从国家战略高度进行系统部署，以期占领垄断中国照明产业上游核心技术。2各国半导体照明研究计划及进展情况2．1日本的21世纪照明计划”日本率先开始实施半导体照明计划。早在1998年，由通产省资助、新能源产业技术综合开发机构(NEDO)和金属研究开发中心(JRCM)负责执行的21世纪照明计划”正式启动，参与机构包括4所大学、13家公司和1个协会。整个计划的财政预算为60亿日元，1998—2002年是投入50亿日元的第一期目标。该计划关注的核心在于高质量材料的生长、高功率管芯的制备和高效率白光荧光粉的获得等，开展研究的项目包括氮化镓基化合物半导体发光机理的基础研究、改进用于紫外发光二极管外延生长的方法、研究用于同质外延生长的大面积衬底、开发由紫外发光二极管激励产生白光的荧光粉，并生产出使用白光发光二极管照明的光源。2．2美国的“下一代照明计划”美国于2000年开始启动国家半导体照明研究计划，即“下一代照明计划”(NGLl)，总共将投资5亿美元支持计划的实施。该计划已被列入美国“能源法案”，由国防高级研究计划局(DARPA)和光电产业发展协会(OIDA)负责执行，共有13个国家重点实验室、公司和大学参加。重点研究方向是：发光二极管成本的降低和转换效率的提升、氮化镓(GaN)材料的固体物理学问题、金属有机化学气相沉积(MOCVD)相关工艺、低缺陷密度衬底和器件结构的优化等。美国能源部负责制定了《固态照明研究与发展计划》，该计划为半导体照明确定了无机发光二极管和有机发光二极管(OLED)两个方向，已进行了多次修订。计划关于半导体照明发展的战略措施包括基础研究、核心技术研究、产品开发、商业化支持、标准开发以及产业合作等方面。美国能源部还于2007年4月发布了《固态照明商业化支持五年计划》草案，它为产品的商业化活动也提供了一个基本框架，其目的是加速半导体照明的商业化进程，最大限度地节约能源。战略措施包括：“能源之星”计划、“明日照明”设计竞赛、商用产品检验计划、技术信息的开发与传播、标准和测试程序的开发等。2．3欧盟的半导体照明计划欧盟于2000年7月开始制定实施“彩虹计划”，以推广白光发光二极管的应用。